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luciz
2021-11-29 12:14:12
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@猫猫喵喵3: SiCMOSFET替代SiIGBT的进展? SiC材料性质要好,耐压比纯硅这块要好。 而且在Si材料中国落后太多,但是SiC跟欧美差距时间较短,甚至有可能实现功率器件的弯道超车。   电机的体积和扭矩是成正比的,转速上来之后,扭矩会越来越小。降成本的方面来说,高压化也是趋势。所以要
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