80%大陆厂商预新增IGBT研发中心，76%大陆厂商积极布局碳化硅领域
1）研发投入：根据我们的调查，大部分厂商仍具有很强的IGBT研发意愿。80%的大陆厂商预计增加研发中心，这既表明了IGBT行业本身具备较好的增量机会，也意味着企业或将拥有更多机会将科研成果转化为增长动能。2）器件材料：IGBT 器件需要承受高电压和大电流，碳化硅能够顺应IGBT高密度、高可靠性、高集成散热性的发展趋势：相比于硅材料，SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，可同时实现高耐压、低导通、快响应。据统计目前已有76%的大陆厂商在SiC领域布局。3）技术路线：IGBT芯片结构分为正面和背面。据统计，在IGBT正面技术方面，80%的厂商仍采用高电流密度的沟槽栅技术，40%的厂商采用了最新的微沟槽技术，仅24%的公司保留平面栅方案。在IGBT背面技术上，64%的公司采用最新第七代方案FS场截止，但仍有8%的公司沿用PT穿通方案。

车规IGBT下游需求旺盛，67%大陆厂商计划扩张车规级IGBT模块产线
我们认为，由于燃油汽车到新能源汽车的转变，加之大陆厂商有望对海外厂商进行产能替代，IGBT下游需求将大幅增涨。1）产能端：为满足下游旺盛需求，大陆厂商扩张意愿较强，67%大陆厂商有产线扩张计划，产能将或迎来大幅提升。2）供需缺口：在现有产能背景下，供需缺口仍然存在。55%的企业订单完成率不足75%，车规级IGBT模块整体仍存在产能不足和订单积压问题，整体市场供不应求。3）价格端：未来1年内有40%的企业表示会提高价格，并预测未来IGBT模块业务的毛利率会提高。其中，大陆厂商少数表示价格保持不变，33%的厂商未来1年会降价，42%提价。

双碳政策驱动下，40%大陆厂商计划扩张光伏级IGBT模块产线
受益于双碳政策，光伏将迎来广阔的成长空间。IGBT在光伏市场中主要应用于光伏逆变器，逆变器出货量增长将带动IGBT需求提升。1）产能端：大陆厂商扩产意愿较高，60%的大陆厂商有产线扩张计划，据此我们预计国内产能或将大幅提升。2）需求端：光伏级IGBT模块仍存在供需缺口。65%的厂商订单完成率不足75%，普遍存在订单积压问题，可见现有产能仍无法满足市场整体需求。3）价格端：未来价格和毛利率有望进一步提高。40%的大陆厂商预计未来一年光伏级IGBT模块产品价格将提高，50%的大陆厂商预计未来一年毛利率将提高，整体较为乐观。
风险提示：景气度不如预期，产品升级迭代不如预期，产能紧缺风险，系统性风险，样本代表性风险。