1. 热处理/氧化/扩散

热处理过程主要有氧化、扩散和退火三个步骤。其中，氧化工艺是将硅片在氧化环境中 加热到 900~1100 度的高温，在硅片表面上生长一层均匀的二氧化硅薄膜；根据所用氧 化剂的不同，氧化可分为水汽氧化、干氧氧化和湿氧氧化；主要用到的设备是氧化炉。 扩散工艺是在硅片表面掺杂三价或五价元素，控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓 度和 PN 结等。退火工艺则是在离子注入以后，用以恢复晶体的结构和消除缺陷。

（1）快速热处理设备  （屹唐半导体）

（2）激光/闪光退火设备

（3）扩散炉

（4）氧化炉 （北方华创）

2. 薄膜沉积

薄膜沉积技术是将由能量激活形成的原子、离子、活性反应基团等在衬底表面进行吸附 并形成薄膜的设备，薄膜厚度在几微米至几纳米不等。在晶圆制造过程中，薄膜沉积用 于在硅片上制作出晶体管并连接成电路，也可用于形成隔离介质层。薄膜沉积技术主要 有物理气相沉积、化学气相沉积和原子层沉积。

（1）CVD设备 （北方华创、拓荆科技、中微公司）

（2）PVD设备

（3）ALD设备

（4）气相外延炉

3. 光刻

光刻机是芯片制造中的核心设备。光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控 制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例 缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。目前，全球光刻机市场的主要企业即 ASML，尼康和佳能，国内企业仍处于较为落后的阶段。

（1）极紫外光刻机（EUV） ASML

（2）深紫外光刻机（DUV）ASML、Nikon

（3）紫外光刻机（UV）ASML、Nikon、Canon、SMEE

4. 刻蚀设备

刻蚀是光刻工艺之后重现掩膜图案的关键步骤。刻蚀是把经曝光、显影后光刻胶微图形 中下层材料的裸露部分去掉，从而在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。光刻机相当 于画匠，而刻蚀机是雕工，前者在硅片绘制出一张电路图，后者依照电路图雕刻线路， 腐蚀和去除不需要的部分。刻蚀主要考虑的参数有刻蚀速率、刻蚀剖面（各向同性/各向 异性）、刻蚀偏差、选择比（对两种不同材料刻蚀速率的比值大小）、均匀性、残留物等。 刻蚀的材质包括硅及硅化物、氧化硅、氮化硅、金属及合金、光刻胶等。通过有针对性 的对特定材质进行刻蚀，才能使得晶圆制造不同的步骤所制造的电路之间相互影响降至 最低，使芯片产品具有良好的性能。

（1）介质刻蚀

（2）导体刻蚀（北方华创、屹唐半导体）

5. 去胶设备

（1）干法去胶剂 （北方华创、屹唐半导体）

（2）湿法去胶剂

6. 清洗设备

盛美半导体、北方华创、芯源微及至纯科技

7. 离子注入机

离子注入机是高压小型加速器中的一种，它将由离子源中得的离子加速为几百千电子伏 能量的离子束流，一般用于半导体、光伏等领域的材料离子注入，还可用于金属材料表 面改性和制膜等。按能量范围不同，离子注入机主要分为三种：低能大束流离子注入机、 高能离子注入机和中低束离子注入机，且三种离子注入机的运行原理基本相似。目前， 使用最广泛的是低能大束流离子注入机，其余两种离子注入机用量较少。

2022年8月4日公告

近日，上海至纯洁净系统科技股份有限公司（以下简称“公司”）和全资子公司上海至纯系统集成有限公司、至纯科技有限公司作为联合体牵头人，收到了世源科技工程有限公司（招标人）发出的《中标通知书》，中标长江存储科技有限责任公司国家存储器基地项目特殊气体系统包。

项目名称：长江存储国家存储器基地项目气体系统包招标人：世源科技工程有限公司中标价格：276,213,992.00元（其中国内设备材料231,870,037.38元，安装服务44,343,954.62元）。

标的主要内容为各类工艺气体（含用于氧化/扩散、刻蚀、离子注入、沉积等干法工艺）的特气设备，即工艺支持性设备，标的包含设计、安装和调试等服务。