碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化 合物半导体材料，并和氮化镓（GaN）都具有宽禁带的特性，被称为第三代半导 体材料。由于 SiC 具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。 受益于 SiC 的材料特性，SiC 功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等 优势。

 

SiC 器件适用于高压、高频应用场景。功率器件可以按照设计结构分为二极 管、MOSFET、IGBT 等，也可以按照产品并联形态分为单管或者模组，还可以 按照衬底材料分为硅基、SiC、GaN功率器件。对比来看，SiC 器件和 IGBT 都可 以在 650V 以上的高压下工作，但 SiC 器件能承受的频率更高。根据感抗和容抗 公式，相同感抗、容抗下，电路频率提升，电容和电感值可以下降，即可以使用 更小体积的电容和电感。SiC 器件需要的被动元器件数量和体积就更小，从而减 小了整个系统的体积。

 

SiC 产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节。SiC 衬底的制造 过程是首先将碳粉和硅粉在高温下反应得到高纯度 SiC 微粉，然后将其放在单晶 生长炉中高温升华形成 SiC 晶体，最后 SiC 晶体通过晶锭加工、切割、研磨、抛 光和清洗得到 SiC 衬底。根据衬底电阻率的不同，SiC 衬底可以分类为导电型、 半绝缘型衬底。由于衬底具有一定缺陷，不适合在其上直接制造半导体器件，所 以衬底上一般会沉积一层高质量的外延材料。导电型 SiC 衬底上一般再外延一层 SiC，然后用于制作功率器件，而半绝缘型 SiC 衬底上可以外延 GaN材料，用于 制作射频器件。

 

 

S天富能源(sh600509）S 公司主营为电力与热力生产、供应，天然气供应，城镇供水及建筑施工等。公司的主要服务是为新疆石河子地区提供电、热、水、天然气等综合城市能源服务，也是西北地区唯一一家以热电联产模式为主，多种能源供应方式并举，发、供、调一体化的综合性能源上市公司。

  

公司依托控股股东旗下优势资源，公司拟出资20,000万元参与关联方天科合达本次增资事项，增资完成后，公司将持有天科合达3.7068%的股份。本次天科合达增资事项的总规模为79,950万元，新增股份数量为3,198万股，增资价格为25.00元/股。天科合达成立于2006年9月份，最近三年一直从事第三代半导体碳化硅晶片的研发，生产和销售等业务。 

 

公司持有的北京天科合达半导体股份有限公司约2.32%的股权，收购价格为人民币1.25亿元。资料显示，天科合达的主营业务是生产第三代半导体碳化硅产品（碳化硅晶片），是国内成立时间最早、规模最大的碳化硅晶片制造商之一。随着新能源汽车，充电基础设施，5G基站，工业和能源等应用领域下游需求的爆发增长，未来SiC器件的市场规模成倍扩大，碳化硅材料市场供应将持续增加。公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年公司参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司9.5953%的股份，成为该公司第二大股东。未来，公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。 

 

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