金博股份与天科合达于4月8日签署《战略合作协议》，双方共同就【高纯热场材料】【高纯保温材料】 【高纯粉体材料】在第三代半导体领域的开发和应用，达成深度战略合作伙伴关系，合作期5年，结束后可 续签。 1⃣技术合作：双方共同研发第三代半导体的热场材料、保温材料与粉体材料，天科合达给予金博产品开发方 向、技术要求方面指导，并配合金博进行产品测试与评估，以满足天科合达对相关材料国产化的需求。 2⃣商务合作：金博以优于市场的价格、优先保供天科合达；天科合达在同等性价比条件下，优先采购金博的 热场、保温与粉体材料。

 碳化硅衬底市场空间大，金博在高纯热场&保温材料上取得突破。 碳化硅衬底占全产业价值链47%，目前进口热场&保温占衬底成本的40%，国产化后我们保守估计热场价值 占碳化硅整体投资价值的15%。根据我们测算，2025年碳化硅热场&保温材料市场空间达53亿元，市场空 间广阔，且技术壁垒高，优先国产化的供应商有望获得高市占率。 金博的目标是实现国产化降本，目前公司在SiC热场领域已经做到50PPM以内，我们预计4月给客户进行送 样，技术路线适配的是主流的PVT法长晶路线，核心在于找到和光伏一样的技术突破口，不同位置的热场材 料，需要满足的是性能是不同的，等静压石墨没法做到这点，碳纤维可以通过不同的编制结构达到这一目 的。目前东洋碳素和西格里的策略都是退出光伏市场，全部重心在半导体尤其是SiC，我们判断随着金博技 术积累，有望延续光伏热场的逻辑，在半导体领域实现进口替代。 

高纯碳化硅粉体是制备碳化硅衬底的关键原材料，目前金博的碳化硅粉正在研发试制阶段。 碳化硅粉的制备流程：将高纯硅粉+碳粉混合，在2000℃以上的高温条件下反应，合成特定晶型和颗粒度 的碳化硅颗粒，再经过破碎、筛分、清洗等工序，制得高纯碳化硅粉。 碳化硅粉的纯度以及颗粒度、晶型等，对碳化硅衬底生长质量&电学性能，甚至碳化硅器件的质量都有重要 影响。 碳粉作为金博气相沉积工艺副产品，具有纯度高、成本低等优势；目前金博已进行试制高纯碳粉、高纯碳 化硅粉，加速推进国产化。 

盈利预测与投资评级：我们维持2022-2024年归母净利润为7.07/8.98/11.68亿元，当前股价对应PE仅 25/20/15倍，维持“买入”评级。