【招商电子】拓荆科技年报点评：全年收入业绩同比高增长，在手订单超预期！
夜长梦山
2023-04-17 22:39:00
【招商电子】拓荆科技年报点评：全年收入业绩同比高增长，在手订单超预期！
全年收入17.06亿元，同比+125%；毛利率49.3%，同比+5.3ppts；归母净利润3.69亿元，同比+438%；扣非净利润1.78亿元，同比大幅扭亏为盈。根据股权激励计划，22/23/24/25年收入目标分别不低于15.16、22.74、30.32、37.9亿元，归母净利润目标不低于2.53、4.04、5.48、6.85亿元，彰显长期增长信心。
1）PECVD：收入15.63亿元，同比+131.4%；售出98台，同比+96%；毛利率49.4%，同比+6.8ppts；2）ALD：收入3259万元，售出1台，毛利率46%；3）SACVD：收入8948万元，同比+117.4%；售出5台，毛利率46.8%。
截至22年底，合同负债13.97亿元，环比增加4.7亿元；存货23亿元，环比增加2亿元，其中80%以上为已取得正式销售订单的发出商品；全年新签订单43.62亿元（不含DEMO机台），同比+95.36%，截至22年底在手订单共46.02亿元（不含DEMO机台）。根据招股书，截至21Q3，公司发出商品中DEMO机台数量占比33.78%，成熟机台验收周期大约3-6个月，DEMO机台验收周期大概15-24个月，在手订单有望保证未来收入高速增长。
✔PECVD：①PF-300T、PF-300T eX扩大应用面，Lok I、ACHM、ADC I、HTN等薄膜均通过客户验证，进入量产；②针对先进封装开发了80-200℃的低温沉积设备，用于SiN、TEOS等，并实现量产；③NF-300H设备实现首台产业化应用并取得重复订单，用于Thick TEOS等；④氧化硅/氮化硅（ONON）堆栈薄膜是3D NAND存储的底层结构，也是最难沉积的结构之一，公司技术已达到国际先进水平。
✔ALD：①PEALD用于沉积SiO2、SiN等介质薄膜，用于填孔、侧墙、衬垫层等工艺，PF-300T Astra完成产业化验证，NF-300H Astra在客户端验证顺利；②Thermal-ALD（PF-300T Altair、TS-300 Altair） 设备已完成研发，并出货至不同客户端进行验证， 可以沉积 Al2O3等金属化合物薄膜。
✔沟槽填充类CVD：①SACVD实现 SA TEOS（PF-300T SA）、BPSG、 SAF（PF-300T SAF）沉积，均通过验证并实现产业化应用；②HDPCVD用于沉积SiO2、FSG、PSG等，PF-300T Hesper已通过验证并实现销售，TS-300S Hesper（可最多同时搭载PECVD、ALD及HDPCVD共5个反应腔）已取得不同客户订单。
✔晶圆混合键合：包括晶圆对晶圆键合（W2W）和芯片对晶圆键合表面预处理（D2W）设备。首台W2W产品Dione 300正在客户端验证，并取得突破性进展；D2W产品Pollux完成研发，正在客户端验证。
✔UV Cure（紫外线固化设备）：基于PF-300T开发，可与PECVD设备成套使用，为HTN、 LokⅡ 等薄膜进行紫外线固化处理。UV Cure（HTN 工艺）设备已通过不同客户产线验证，实现销售收入，并实现产业化应用。
全年收入17.06亿元，同比+125%；毛利率49.3%，同比+5.3ppts；归母净利润3.69亿元，同比+438%；扣非净利润1.78亿元，同比大幅扭亏为盈。根据股权激励计划，22/23/24/25年收入目标分别不低于15.16、22.74、30.32、37.9亿元，归母净利润目标不低于2.53、4.04、5.48、6.85亿元，彰显长期增长信心。
1）PECVD：收入15.63亿元，同比+131.4%；售出98台，同比+96%；毛利率49.4%，同比+6.8ppts；2）ALD：收入3259万元，售出1台，毛利率46%；3）SACVD：收入8948万元，同比+117.4%；售出5台，毛利率46.8%。
截至22年底，合同负债13.97亿元，环比增加4.7亿元；存货23亿元，环比增加2亿元，其中80%以上为已取得正式销售订单的发出商品；全年新签订单43.62亿元（不含DEMO机台），同比+95.36%，截至22年底在手订单共46.02亿元（不含DEMO机台）。根据招股书，截至21Q3，公司发出商品中DEMO机台数量占比33.78%，成熟机台验收周期大约3-6个月，DEMO机台验收周期大概15-24个月，在手订单有望保证未来收入高速增长。
✔PECVD：①PF-300T、PF-300T eX扩大应用面，Lok I、ACHM、ADC I、HTN等薄膜均通过客户验证，进入量产；②针对先进封装开发了80-200℃的低温沉积设备，用于SiN、TEOS等，并实现量产；③NF-300H设备实现首台产业化应用并取得重复订单，用于Thick TEOS等；④氧化硅/氮化硅（ONON）堆栈薄膜是3D NAND存储的底层结构，也是最难沉积的结构之一，公司技术已达到国际先进水平。
✔ALD：①PEALD用于沉积SiO2、SiN等介质薄膜，用于填孔、侧墙、衬垫层等工艺，PF-300T Astra完成产业化验证，NF-300H Astra在客户端验证顺利；②Thermal-ALD（PF-300T Altair、TS-300 Altair） 设备已完成研发，并出货至不同客户端进行验证， 可以沉积 Al2O3等金属化合物薄膜。
✔沟槽填充类CVD：①SACVD实现 SA TEOS（PF-300T SA）、BPSG、 SAF（PF-300T SAF）沉积，均通过验证并实现产业化应用；②HDPCVD用于沉积SiO2、FSG、PSG等，PF-300T Hesper已通过验证并实现销售，TS-300S Hesper（可最多同时搭载PECVD、ALD及HDPCVD共5个反应腔）已取得不同客户订单。
✔晶圆混合键合：包括晶圆对晶圆键合（W2W）和芯片对晶圆键合表面预处理（D2W）设备。首台W2W产品Dione 300正在客户端验证，并取得突破性进展；D2W产品Pollux完成研发，正在客户端验证。
✔UV Cure（紫外线固化设备）：基于PF-300T开发，可与PECVD设备成套使用，为HTN、 LokⅡ 等薄膜进行紫外线固化处理。UV Cure（HTN 工艺）设备已通过不同客户产线验证，实现销售收入，并实现产业化应用。
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