因封杀美光，存储芯片大热，存储芯片还能买吗？

国内存储概念股一大堆，他们有什么不同？谁最值得买？

看完本文，你一定会有一个较为清晰的认知。

一、存储芯片为什么机会大？
1.万亿市场规模

存储芯片的市场占据半导体产业近30%；2023年全球存储芯片市场规模将达1658亿美元，而这其中，中国存储芯片市场规模将逼近6500亿元。

2.ch­a­t­g­pt带来的增量

AI服务器所需DR­AM和NA­ND分别是常规服务器的8倍和3倍，AI技术革命驱动全球算力竞赛，存储芯片有望加速企稳。

据机构的测算，以英伟达A100为标准，单个GPU堆叠8颗DR­AM芯片，短期拉动DR­AM需求增量为11.73万颗，远期增量为684.71万颗。

3.周期底部拐点已现

根据 DI­G­I­T­I­M­ES 报道，长江存储将调涨 NA­ND 产品价格后，三 星、SK 海力士也将跟进 3~5%涨幅。SE­MI 数据显示，全球半导体制造业的收缩预计将在 2023 年第二季度放缓，并有望从第三季度开始逐步复苏。第二季度包括 IC 销售和硅片出货量在内的行业指标表明环比有所改善。

4.国产替代的巨大空间

三星、SK海力士、美光等几个大厂占据全球96%的存储市场份额，全球存储芯片市场的竞争格局基本均被韩国、日本以及美国等国家垄断。

不过好在随着长江存储和长鑫存储等国内厂商的崛起，中国已初步完成在存储芯片领域的战略布局。禁购美光，既是反制，也标志着存储国产化将全面加速。

二、存储芯片产品及相关公司
1.存储芯片结构

存储芯片主要指半导体存储。全球存储芯片产品以DR­AM和NA­ND Fl­a­sh为主，市场份额分别占比53%和44%，NOR Fl­a­sh占比较少仅为1%。

通俗点解释：

RAM是内存，决定你设备的加载速度、运行效率；断电后数据清空；

ROM是闪存，决定你的设备能装多少东西；断电后数据不会丢失；

从各细分产品增速来看，根据Yo­le的数据：

2027 年 DR­AM 芯片市场规模有望达 1580 亿美元，21-27 年 CA­GR 达 9%。

2027 年 NA­ND 芯片市场规模有望达 960 亿美元，21-27 年 CA­GR 达 6%。

2027 年 NOR 芯片市场规模有望达 49 亿美元，21-27 年 CA­GR 达 6%。

2.市场格局

DR­AM和NA­ND

2022年三星一家独占38.7%的份额，排名全球第一。然后是SK海力士，份额高达24%，也就是两家韩系厂商合计占到了62.7%左右。

然后再是美光、铠侠、西部数据。而中国存储厂商，在全球的份额中，还是处于其它那一项，与合计一起占到4.6%，国产厂商从0到4.6%，也算是肉眼可见的进步。

NOR Fl­a­sh

全球NOR Fl­a­sh领域海外垄断程度最低，根据 CI­N­NO Re­s­e­a­r­ch 和 IC In­s­i­g­h­ts 的 数据，2021 年 NOR Fl­l­a­sh 市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据，市占率分别为 35%、33%和 23%。

从市场规模以及市占率来看，在这个方向上，似乎并没有太大想象空间了。

3.主要布局公司

近年来国内厂商加速追赶，，已在部分领域实现 突破，逐步缩小与国外原厂的差距。

兆易创新位列 NOR Fl­a­sh 市场前三，聚辰股 份在 EE­P­R­OM 芯片领域市占率全球第三，长江存储 128 层 3D NA­ND 存储芯片，直接跳 过 96 层，加速赶超国外厂商先进技术。

三、投资机会梳理
1.禁购美光背景下的国产替代方向

晶圆端：国产替代势在必行，关注国内存储晶圆制造产业链

存储晶圆环节，据IC In­s­i­g­h­ts，2021年DR­AM全球市场份额排名前三的分别为三星（43.6%）、SK海力士（27.7%）和美光（22.8%），NA­ND Fl­a­sh由三星（34%）、铠侠（19%）、西部数据（14%）、美光（11%）、SK海力士（11%）和英特尔（9%）六家公司主导，CR6超过98%。在制裁背景下，包括佰维存储、江波龙等都减少了对美光的采购。

模组端：下游客户转单，国内模组厂有望受益国产替代

根据Tr­e­n­d­f­o­ce数据我们测算，海外原厂在模组环节地位仍高，其中2021年全球原厂自有品牌内存营收总额为模组厂的5倍以上，渠道SSD中原厂占比42%。美光被禁，国内客户将转单，而令美光之外的厂商受益。具有信创、企业级存储布局的厂商有望优先受益。

2.海外大厂加速退出，利基DR­AM的国产份额提升机会

DR­AM分为主流DR­AM和利基DR­AM；

主流DR­AM代表最先进的性能，主要是DDR4和DDR5；

利基DR­AM多为DDR2和DDR3，多应用于消费电子、汽车、网络通讯和工业控制，技术门槛相对较低；

主流DR­AM主要被三星、海力士、美光三分天下，长鑫存储定位也是主流DR­AM供应商；

利基DR­AM竞争格局分散，比如兆易创新、北京君正和东芯股份。随着 国外大厂逐渐退出利基市场（三星21Q4停产 DDR2,预计 23 年停产 DDR3；海力士也计划停产DDR3），国内厂商将迎来份额提升的机会。但也需关注技术的进步性，DDR2和DDR3的市场份额是在逐年缩减的。

注意：随着DR­AM制程越来越接近10nm，EUV光刻成为DR­AM迈向更先进制程的必备工具，在被制裁的背景下，长鑫存储的国产之路要比长江存储面临更大的困难。

3.NA­ND下行周期或更早于DR­AM

根据 Tr­e­n­d­F­o­r­ce 的数据，NA­ND 价格相较 DR­AM 更具弹性；

供给端：许多厂商如海力士、铠 侠和 WDC 已实际展开减产行动，同时叠加美国禁令对 YM­TC 的限制，使得 NA­ND 总产能收敛较快。

需求端：长期来看，全球数据量指数增加，云业务厂商持续留存数据存 储的需求。在他们消耗完原有价格较高的 SSD 后，2023 年下半年 NA­ND 需求量有望增 加。因此，2023 年 NA­ND 的价格弹性会高于 DR­AM。

叠加上部分提到的工艺区别对长江存储和长鑫存储的不同影响，深挖长江存储产业链，是更好的投资选择；

4.AI带来GPU增长下，HBM迎来持续受益

高带宽存储器（HBM, Hi­gh Ba­n­d­w­i­d­th Me­m­o­ry）是一款新型的高带宽、高附加值、低功耗、小尺寸的DR­AM产品。

HBM 融合了 3D 堆叠以及近存储运算技术，可消除内存受限、计算密集型工作负载的处 理与内存瓶颈，因此十分适合用于对性能要求高的计算系统领域，如：AI 服务器、超级计算机、机器学习、数据库加速、新一代防火墙和高级网络测试器等应用领域；

HBM DR­AM价格是传统DR­AM价格的5倍，性价比不高，所以截止2021年渗透率只有1%。

根据 Tr­e­n­d­F­o­r­ce 的数据， AI 服务器用 GPU，主要以英伟达 H100、 A100、A800（主要出货中国）以及 AMD MI250、MI250X 系列为主，英伟达占比约 80%， 这些高性能 AI 芯片均采用 HBM，因此 Tr­e­n­d­F­o­r­ce 预计 2023-2025 年 HBM 市场 CA­GR 有望达 40-45%以上。

四、重点公司（仅供参考）

按照前面总结，最看好的机会包括：

1.NA­ND方向：国产替代+周期率先反转，以长江存储为代表公司，可深挖相关产业链；包括上游的材料公司沪硅产业、安集科技、雅克科技、华特气体、兴森科技、鼎龙股份等，上游的设备北方华创、中微公司、精测电子、拓荆科技、芯源微等。

2.利基存储方向：国外厂商加速退出背景下的国产份额提升，代表公司包括兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份、恒烁股份等；

3.存储模组方向：禁购美光背景下的国产替代，代表公司包括德明利、江波龙、佰维存储等；

4.HBM方向：AI加速发展下带来的HBM DR­AM的渗透提升。代表公司包括通富微电、国芯科技、澜起科技、兆易创新、佰维存储等；