1、新型三维存储和DRAM还有NAND如何竞争。

 答:

首先,主流存储是DRAM和nand,性能差异约有千倍,成本差异约50倍,没有中间段产品选择,大量的温数据的存储得放在DRAM上,成本大幅增加,温数据不需要

DRAM那么高的性能支持,新型存储器更适合温数据的使用,产品更为匹配。

其次,并非完全替代dram,因为不同场景中使用不同,70-80%的数据可以放在新型存储器上,我们预计未来新型存储器会和DRAM组合使用。

 2、技术成熟度如何?

 答:

目前已比较成熟了,现在到明年年底进一步提高性能可靠性和良率,实现明年年底量产,长三角某地方政府会给我们做定制量产代工线。

从产品上看,1代产品是2层堆叠,技术迭代可以结合dram和nand的优势。

Dram可以平面微缩提高成本优势,nand通过三维堆叠提高密度。

我们技术现在是2层堆叠,下一代往4-8层堆叠发展,技术路线清晰,未来3-4个技术代际已经定义,迭代到2030年。

 3、服务器往存算一体发展,我们的产品是否有类似能力往该方向发展?

 答:

我们技术可以做存算一体,但第一代主要满足大容量低成本热数据存储需求,市场规模很大,存算一体是好的发展方向,但不是当前目标。

 4、产品的定价和毛利率是怎样的?

 答:

我们成本比DRAM低,我们售价也会相应低于DRAM产品。

预计每月达到1万片满产后,能够实现正的净利润。

 5、通过新型材料改变阻值?

 答:

技术经过了50-60年的开发迭代和积累。

材料本身得到了极广的应用,20世纪初用光盘存储数据,其中就有比较成熟的新型存储介质,我们在芯片上有一些性能优化。

2019年立项评估过,了解过优势和劣势,当前方向最有可能产业化。

有一些新型存储器在嵌入式的场景市场规模比较小,应用有局限性。

 6、国外厂商不做了?

 答:

并不是技术本身考量,而是商业策略的改变。

Intel主攻CPU,AMD过去几年占领了intel的市场份额,有动力回归主流业务提高CPU竞争力。

芯片法案要求intel在逻辑芯片代工上取得突破,新CEO推出IDM2.0,回归主流CPU业务,非主流业务都已被停止,取消或者转卖,集中支援支持主航道。

 7、我们解决了代工难点吗?

 答:

目前国内没有成熟代工厂可以做我们的技术,现有代工厂主要集中于逻辑芯片,因为如此新的量产代工线建设来给我们提供定制化代工,我们会完全复制现有研发线

到量产代工线上,提高产品的良率,加快产业化进度。

 8、制造也是新存做吗?

产能规划如何?

 答:

新存不做,聚焦芯片设计和工艺研发,销售。

有量产线作为定制化代工线。

产能规划2025年底1万片/月,按需定制。

 9、和古鳌合作子公司什么定位?

 答:

聚焦模组的研发生产。

提供一部分模组封装,未来生态发展和大规模产业化的必经之路。

 10、模组定价和颗粒一样?

 答:

模组不会,有一定附加价值,不一定有颗粒那么大的价格差异。

 11、我们应该是国内第一个量产的?

 答:

目前是的。

 12、今年年底到明年是什么芯片开发阶段,量产前还有哪些攻克验证节点?

 答:

产品芯片开发基本上没有太大问题了,后续1年的研发主要是提良率及性能,当前产品已经小批量供客户了。

 13、现在验证的客户是哪一类,已经完成验证了吗?

 答:

国内的云服务厂商,有大量温数据存储需求,原型芯片阶段性验证符合预期,后续解决量产、良率,性能进一步提升。

 14、1期产线资本开支多少?

 答:

大概是百亿级。

 15、产值是多少?

 答:

预计满产年营收30多亿。