天富能源司所属参股公司天科合达是国内领先的第三代半导体材料--碳化硅晶片生产商 所属参股公司天科合达是国内领先的第三代半导体材料--碳化硅晶片生产商，主要从事碳化硅领域相关产品研发、生产和销售。目前公司持有天科合达9.5953%股权，为天科合达第二大股东。

天富控股天科合达明年量产年产能12万片6英寸碳化硅芯片，全国第一！
原创 行家产研-许若冰 第三代半导体风向
前段时间，天科合达的徐州2期SiC项目竣工验收（.点这里.），最近，他们的北京项目也已封顶，预计明年投产，总投资约9.5亿元人民币，年产能12万片。
同时，天科合达北京的二期项目计划在2024年投产，年产能超25万片。此外，天科合达还在徐州、新疆和深圳布局SiC项目，
一期已完成封顶
二期年产能25万片
11月12日，北京大兴区政府网发布消息称，天科合达在北京黄村镇的“SiC衬底产业化基地”一期项目已完成主体建设，正在二次结构施工，现已完成封顶，预计明年实现投产。
据“三代半风向”此前报道，天科合达的北京项目于2020年8月17日举行开工仪式
该项目总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条400台/套SiC单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产SiC衬底12万片。
与此同时，大兴政府还表示，天科合达的二期项目也提上了日程，该项目用地面积达77亩，计划投入800台SiC单晶生长炉和配套加工设备，年产SiC晶片达25万片，计划于2024年建成投产。
徐州、深圳、新疆
还有3大项目
天科合达的SiC项目建设势头非常迅猛，今年他们还在徐州和深圳新增了项目布局。
徐州项目方面：
1期项目：2019年12月27日，项目投产，投资额3亿元，已建成SiC晶体生长、切割，晶片加工及检测等工序，年产能4万片。
2期项目：今年9月18日，通过了竣工环境保护验收。2期项目投资额1.5亿元，新增产能SiC衬底3万片/年。（.点这里.）。
深圳项目方面：
今年6月，深圳政府对外公示了深圳市重投天科半导体有限公司的SiC衬底和外延片生产线项目，投资额高达22亿元，其中，北京天科合达持有重投天科45%股权，为第一大股东。该项目将在1.5年内开建，4年内竣工投产（