DDR，面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序，例如图形相关应用程序、数据中心加

速和AI。

（High Bandwidth Memory，高带宽内存）：一款新型的CPU/GPU内存芯片，将很多个

DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。通过增

加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少

内存和存储解决方案带来的延迟。

是其伪通道模式，该模式将通道分为两个单独的子通道，每个子通道分别具有64位I/O，从而

为每个存储器的读写访问提供128位预取。

（Through Silicon Via,简称“TSV”）技术进行芯片堆叠，以增加吞吐量并克服单一封装内

带宽的限制，将数个DRAM裸片像楼层一样垂直堆叠。较传统封装方式，TSV技术能够缩减

30%体积，并降低50%能耗。

契合半导体行业小型化、集成化的发展趋势。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一

代DRAM解决方案。

组织正式发布了新一代高带宽内存HBM3的标准规范，继续在存储密度、带宽、通道、可靠

性、能效等各个层面进行扩充升级。

迟较高。

量，DDR负责稍低带宽大容量。

邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士（SK hynix）50%、三星

（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。新思界预测2025E中国HBM需求量将超

过100万颗。