GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是 Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅（SiC）一起被成为“第三代半导体材料”，而第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景，成为全球半导体市场争夺的焦点。

氮化镓作为第三代半导体材料，具有远优于第一、二代半导体的禁带宽度、导通电阻、热导率。氮化镓的禁带宽度是硅的3倍、亦高于碳化硅；击穿电场为硅的10倍、较硅可耐受更高电压；因此，同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻几乎比硅器件低3个数量级，降低了开关的导通损耗；同时，氮化镓是少见的同时具备高电子迁移率（1,250 cm2/Vs）和高饱和电子漂流率（2.2*107cm/s）的材料，意味着其所能承载的电流密度更高，因此能够在同尺寸的晶体管中产生更高的射频频率；氮化镓的热导率为砷化镓的4倍左右，且具备高热稳定性等优势。

我国氮化镓产业发展迅速，产业链国产化日趋完善，多家国内企业已拥有氮化镓晶圆制造能力。随着市场资本的不断涌入，在国内第三代半导体产业政策推动下，氮化镓应用领域、市场规模快速扩大，国内以光电器件、功率器件、射频器件为主的氮化镓市场，预计2026年市场规模突破千亿元，年复合增长率达到40.1%。


华灿光电：在浙江建有第三代半导体材料与器件重点实验室，正在积极探索GaN等第三代半导体材料，并拓展至电力电子半导体器件等领域。

乾照光电：布局以GaAs和GaN材料为基础的化合物半导体方向，产品有GaN LED芯片。公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

海特高新：子公司海威华芯投资21亿元，在中国大陆建成了首条6英寸砷化镓/氮化镓半导体集成电路芯片军民两用商业化生产线。

楚江新材：子公司顶立科技，提供第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）单晶所需的关键材料、关键构件和关键装备的研发和制造，自主研发了第三代半导体材料SiC单晶生长用关键原料——超纯C粉的生产设备，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上的技术，目前生产的高纯碳粉已实现小批量生产。

士兰微：已经建成了6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线。2021 年上半年，公司硅基 GaN 化合物功率半导体器件的研发在持续推进中，公司SiC功率器件的中试线已在二季度实现通线。

三安光电：6月23日宣布总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。据悉，该产线可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。