氮化镓（GaN）

GaN作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。与SiC相比，GaN在成本方面表现出更强的潜力，且GaN器件是个平面器件，比现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。

GaN主要用于LED、微波射频和功率器件等领域，目前GaN主要被用于5G有源天线系统（AAS）和手机功率放大器（PA）等新产品中。

由于其优异的高频性能，GaN未来在射频领域具备良好的发展空间，5G通讯、消费电子快充和车规级充电成为GaN产品规模扩张的主要动力。

预计到2024年，全球GaN市场规模将达到20亿美元，复合增长率为21%。

从氮化镓产业链公司来看，国外公司在技术实力以及产能上保持较大的领先。

行业龙头企业以IDM模式为主，其中Qorvo拥有自身的晶圆代工厂以及封测厂，在国防以及5G射频芯片领域具备较大优势。

国内厂商包括苏州能华、华功半导体以及英诺赛科等，其中英诺赛科建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。

氮化镓衬底市场主要由日本住友电工、三菱化学也以及新越化学主导，其市场份额占到90%以上，可以成熟提供4英寸以及6英寸氮化镓衬底。

国内厂商包括苏州纳维以及东莞中镓，目前已经实现2英寸氮化镓衬底产品量产，对于4英寸氮化镓仍处于研发及试生产阶段，与国际领先厂商技术还存在一定差距。

我国的“中国制造2025”计划中明确提出要大力发展第三代半导体产业。

中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，抢占第三代半导体战略新高地；国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA），对推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展具有重要意义。

未来几年在5G通信、新能源汽车、快充、绿色照明等新兴需求崛起和国家政策大力支持的双重驱动下，相关领域将迎来更大力度的支持，第三代半导体有望迎来爆发式的成长。

具体来看，氮化镓产业链与碳化硅产业链环节无较大差别，同样分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料，但国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等；从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

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闻泰科技

乾照光电

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聚灿光电

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