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【国盛电子团队】中微公司:刻蚀能力进一步提高,MOCVD业务拐点来临
myegg
2022-03-31 09:58:25
2021年,公司营业收入31亿元,增长37%;归母净利润10亿元,增长105%;扣非归母净利润3亿元,同比 大幅增长;剔除股份支付后扣非归母净利润5亿元,同比增长267%。

股权激励费用约2亿,公允价值变动 4.6亿(税前),补助3.5亿(税前)。

营收结构上,刻蚀收入20亿元,增长55%,毛利率44%;MOCVD收 入5亿元,增长1%,毛利率34%(同比提升15pct)。

 需求旺盛,合同负债持续增长。公司2021年新签订单41亿元,同比增长91%。

报告期末,公司合同负债 13.7亿元,环比21Q3末提升53%。公司存货17.6亿元,其中发出商品约8.5亿元(同比增长72%)。

合同负 债反应在手订单,发出商品反应未来收入确认。ICP放量增长强劲,MOCVD业务拐点来临。 

(1)公司2021年付运298腔CCP,产量增长40%,并取得5nm及以下逻辑重复订单,且在128层3D NAND广 泛应用。公司正开发新一代涵盖128nm及以上的关键刻蚀应用以及极高深宽比刻蚀设备。 

(2)公司2021年付运134腔ICP,产量增长235%,得到多个国内客户订单。公司下一代ICP目标满足5nm 及以下逻辑、1X纳米DRAM及128层以上3D NAND刻蚀需求。 

(3)公司用于Mini LED的Unimax设备在2021年订单超过100腔,且2022年2月兆驰增量订单52腔。此外, 公司开发GaN功率器件MOCVD,处于交付客户验证阶段。 

(4)公司在钨填充CVD获得阶段性进展,与客户对接验证,且正进一步开发CVD和ALD。 公司在3月10日增资上海睿励1.08亿元,持股比例由20%增至29%。上海睿励主营的产品为光学膜厚测量设 备和光学缺陷检测设备,以及硅片厚度及翘曲测量设备等,其光学测量设备TFX3000已应用于28nm产线, 正验证于14nm产线;应用于64层3D NAND,正验证于96层3D NAND。 

持续投入研发。公司研发投入7.28亿元,增长14%,研发投入占营收约23%。其中,研发费用为5.95亿 元,增长6%。公司研发人员415人,占员工总数40%。公司研发新品包括新一代CCP、新一代ICP、功率 GaN MOCVD以及CVD类,快速打开产品线。 半导体刻蚀设备龙头,打造旗舰平台型企业。

公司成功打造一支具有创造力和核心竞争力的技术团队。

公 司MOCVD持续升级迎来Mini LED拐点,CCP产品涵盖国内外一线客户,ICP产品快速迭代并放量,并布局沉 积等新产品线,打造半导体设备旗舰企业,并通过外延投资沈阳拓荆、睿励仪器等推进平台型建设。

 风险提示:下游需求不及预期 

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中微公司
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