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分立器件，包括功率半导体、光电子器件、传感器三大块。

从市场需求的角度来看，分立器件就跟纽扣、拉链之于衣服，哪里都少不了。

有IC Insights的统计数据为证，2016年分立器件（不含光电和传感器）全球出货量占半导体元件44%，是半导体元件第一大销量分支。

但分立器件的技术门槛毕竟偏低，因此全行业的销售额只有194亿美元，仅占半导体行业总产值的5.7%。

2016年全球半导体行业销售额占比

占比44%的出货量，只卖了5.7%的钱，这莫非就是传说中的低端制造业？

还真不是，即使是这相对冷门的领域，全球市场的70%依然被欧美日厂商垄断着，以IGBT为代表的高端功率器件依然有90%需要进口。

2015年全球功率半导体市场

当然，和集成电路不同的是，功率半导体的产品更新速度要慢一点，资金投入规模也要小一些，这就给我国的创业者们留下了奋斗的时间和空间。

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实际上，闯进来搞功率半导体的本土厂商并不止一家。

2016年中国功率半导体器件十强

在这个领域里，有1990年成立的苏州固锝，由苏州无线电元件十二厂联合多家公司投资，是全球最大的二极管生产商之一，每月产量可达2.5亿只，占世界产量的8%-9%。

有规模最大的华微电子，前身是1965年建立的吉林半导体器件厂，经验积累深厚，目前拥有22亿只/年的功率半导体封装能力。

跟他们比，扬杰科技就像个愣头青，迟至2006年才闯进来。

但是，仅仅十年，扬杰就排到了行业第二，营收与老大也只有毫厘之差。

2016年，扬杰营收11.9亿，毛利率达到35%，净利率17%，远超老大华微和老三固锝。

扬杰是如何做到的呢？

首先和前面两位老大哥相比，扬杰是个民营公司，机制更灵活，早期从事电子元器件贸易销售，后来发现“没有自己的工厂，产品质量就难以有效管控”，于是一头扎进了实业领域。

但是民营公司也很多，扬杰能够脱颖而出，还跟他的经营策略有着重要关系。

扬杰的董事长叫梁勤，这是一位有大智慧的女子。

梁勤说过一段话，“进入一个行业要抓准了，好的行业市场量大、机会多，行业中也有许多细分产品，要分析，我能不能做到这个细分领域的前三名，做不到的，就不要做了。”

话很朴实，但大多数人都难以克制住欲望，扬杰却做到了。

2009年，四万亿计划，各行各业一派火热，房地产畅旺，太阳能产业生机勃勃，公司管理层对于未来的发展曾经出现过大讨论。

但梁勤最终摁住了众人的欲望，决定将所有的资金投入到芯片上游研发环节，当年投入4000万元。

第二年，引入中科院院士郑有炓，他是锗硅合金、Ⅲ族氮化物领域中国最权威的专家；2012年，再从跨国公司挖来一支模块制造技术团队，进军IGBT模块封装领域。

2013年，又去台湾引进了半导体芯片制造的团队，上马光伏二极管项目。尤其是这一次的动作，对扬杰的壮大起到了关键作用。

扬杰重视研发，不断引入人才，是不假，但是技术领先的业界公司有很多，技术领先并且亏损的公司也有很多。

扬杰能够大获成功，关键还是抓住了光伏二极管的机会。

2013年，全球光伏太阳能电池因为政策原因，陷入全行业亏损的状态，成本压缩成为命悬一线的头等大事。扬杰的二极管价格优势明显，一下子就抢走了此前由德国产品垄断的40%市场。

那一年，光伏二极管为扬杰贡献了2.5亿元的收入，占据半壁江山。

即使到今天，光伏仍然是扬杰下游第一大应用板块，占比在25%左右，可见战略眼光的重要性。

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从去年开始，光伏市场复苏。

根据《电力发展“十三五”规划》，到2020 年太阳能发电装机要达到110GW 以上，预计2016-2020分布式光伏装机容量年复合增长率达58%。

光伏二极管主要用作保护光伏电池组，按推算1GW光伏电池组件需要光伏二极管约3000~6000 万只，一只大概1元，今年全球光伏二极管需求就要17 亿。

扬杰如今已是光伏旁路二极管全球第一，机会自然不少。

在功率半导体领域，扬杰最大的优势就是具备“设计+制造+封测一体化”）的能力，这种能力被业界称之为IDM，通常只有跨国半导体巨头才拥有。

比如在集成电路领域，我国的公司通常都只能在某一个环节觅食，具有全球竞争力的目测也只有封测环节。

具有了IDM能力，最大的好处就是不受制于人，可以通吃产业链利润，这正是扬杰能够在利润率表现上高出同行一大截的原因。

到明年，扬杰的4寸片产线将到达每月100万片，6寸片将达到每月5万片，4寸和6寸线芯片将超过华微电子3/4/5/6英寸芯片的总产能400万片/年。

坐二望一，就在眼前。

扬杰甚至已经开始规划8寸片的制造生产线了。

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本土功率半导体龙头地位已在望，扬杰放眼全球。

这个行业的技术革新，从二极管，到MOSFET，到IGBT，一直在升级。

MOSFET是目前需求最大的功率器件，扬杰的技术已经相当成熟，而在高端的IGBT领域，则由英飞凌、三菱、富士电机三家大厂垄断着全球61%的份额。

国内IGBT市场，仅有嘉兴斯达和中国中车有一定产量，但全球份额占比均不及5%，华微电子也已经有IGBT技术，但是一直还没大规模落地量产。

扬杰决定换个思路玩。

不拼设计，拼材料。

半导体材料从第一代的硅（Si）、锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs），第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），同样一直在进化。

我们生活在“硅”的时代，但是到了IGBT，器件性能已经接近硅的极限，边际成本越来越高。

与硅相比，碳化硅拥有10 倍的临界击穿电场强度，3 倍的禁带宽度，3 倍的热导率，和2 倍的饱和漂移速度。

这是硅的理想进化对象。

第三代半导体材料性能对比

资料来源：中国半导体照明

尤其是“高能效、轻量化”两大性能，可谓是击中了新能源汽车领域的需求痛点。

据统计，一辆传统汽车，需要的功率半导体只有71美金，而一辆新能源车，用量将升至387美金，足足4倍的需求涨幅。

也因此，根据美国Lux 研究公司预测，到2024 年，新能源汽车所使用的碳化硅器件将占碳化硅半导体市场总份额的65%。

而今天，全球碳化硅功率器件的市场规模只有2亿元左右，和硅功率器件的200亿差距甚远。

差距正是机会！

硅功率器件市场已被跨国大公司垄断，切入很难；

碳化硅功率器件就不同了，市场小，意味着跨国大公司还没有关注到，但成长速度快啊，尤其是新能源汽车的主场就在我国，这才是聪明人该抓住的好机会！

这样的机会，扬杰当然不会错过。

2015 年6 月，扬杰取得国宇电子14.95%股权，并与中国电子科技集团公司 55 所开展碳化硅芯片和模块产品方面的合作。

55所是国内少数实现集4英寸至6英寸SiC外延生长、芯片设计、制造等领域全产业链的单位，并已经拥有4英寸SiC晶片产能。

2016年，扬杰定增募资1.5亿，用于SiC芯片、器件研发。

目前自主封装的SiC-SBD及SiC-JBS产品，已经送样下游电动汽车、充电桩及光伏逆变器等领域客户。

从技术方面来说，扬杰已是第三代碳化硅功率半导体的行业先锋，如果能抓住这一次的机会，那么将很有可能复制2013年那一次在光伏二极管的飞跃。

不过，这一次的目标，已是全球领导者！