燕东微（688172）在建拥有自主知识产权“成套国产设备月产能4万片特色工艺12英寸集成电路芯片生产线项目”，于2023年4月通电生产，2023年量产，2025年7月满产。

本产线集成了公司自主研发的RF CMEMS工艺平台+ 清华大学-北京电控联合研究中心的科研成果“硅基纳米激光器和光放大器”为硅基光源 。产品定位：高密度功率器件（2027年全球市场规模62.97亿美元）、显示驱动IC（2025年全球市场规模80亿美元）、电源管理IC（2026年全球市场规模565亿美元）、硅光芯片（2025年全球市场规模561亿美元）、月产能4万片CMEMS工艺12英寸裸芯片制造年产值51.84亿美元，到2027年公司12英寸线产品覆盖全球市场规模合计达1320.81亿美元（公司占20%市场份额，30%净利润率）。

其产品频率30GHz-3000GHz（太赫兹电磁波谱频率约为 10^12Hz 被称为T波或T射线，6G频段100GHz-10THz）；传输速度50Gbps (6G为11Gbps比特每秒)，其频率和传输速度覆盖6G-10G、太赫兹，信号处理传输速度是电子芯片信号处理传输速度的1000倍，能耗却是电子芯片能耗的百分之一。产品应用于人工智能物联网、激光雷达、工业互联网数据中心、5G-10G通信、医疗健康、高性能超级计算、量子计算、天文观测，生物成像，医疗诊断，移动终端，工业检测，安防监控等领域。

基于“硅基纳米激光器和光放大器”为硅基光源为全球唯一， 将对全球硅光集成电路芯片产业构成技术壁垒，实现中国芯片“反卡脖子“，引领国际科技创新前沿和引导产业技术升级。
预测每股收益=1320.81亿美元x20%x30%/119910.41万股=6.60898美元/股。汇率1美元=6.8729人民币，折人民币45.42元/股收益。50倍估值其股价=2271元。

未来，燕东微集成电路芯片主流产品：集成电路CMEMS硅光芯片及亚1nm芯片+模块/器件。

燕东微是清华大学-北京电控联合研究中心成果转化及产业化的平台载体。

清华大学-北京电控联合研究中心的亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管（目前自然界唯一 一层原子厚度0.34纳米栅长尺寸物质）为元器件、硅基纳米激光器和光放大器为硅基光源 、元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机），均属于全球独一无二的技术。12 英寸线量产后，燕东微启动亚1nm芯片项目立项与建设，集成“亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管（目前自然界唯一 一层原子厚度0.34纳米栅长尺寸物质）为元器件”+“元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机）”技术，生产亚1nm芯片产业链——全球独一无二的存在。

未来燕东微集成电路芯片产业链的主流产品“CMEMS工艺硅光芯片”及“亚1nm芯片“+模块（硅基纳米激光器和光放大器为硅基光源等）/器件（亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管等元器件、元成像芯片架构）。