以下为摘自网络新闻：

浙江大学的一个科研团队成功研制出了一种新型的存储器，这种新型存储器的面积只有现在的电路器件的几十分之一。而在性能上，更是有着非常不错的性能，据科研人员介绍，课题组在锗表面生长忆阻器材料，从而形成了一种新的器件，这种被研究人员称之为“记忆二极管”的新型存储器可以大幅提高数据交换速度，为降低网络芯片制造成本提供一种全新的解决方案。

值得一提的是，这种新型的存储器，在生产成本以及耗能方面都是非常不错的，低成本以及低耗能都非常利于该存储器的市场化应用。

不知道和清华这次有没相通之处