通富微电基本面更新:1)24q1稼动率坏比提升,来自amd坏比提升20%,补库需求。2)长鑫ddr5 hbm封装 独供,单价500元/颗,目前产能6w颗/年(试验线),至24g3扩产完毕的年产值100w颗/年,对应年收入5e,50%毛利率,估计2e利润,对比21年10e/22年5e利润,增量明显。3)市场空间:国内50w颗ai芯片对应400w颗hbm,20e市场。2)市场格局:前道interposer武汉鑫芯做,后道封装通富做。深科技没有这个能力,长电不扩产。4)需求情况:寒武紀明年100%份额给通富,海光大份额,燧原在台积电cowos已经被禁止,coWos必须国产化。
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