12月27日消息，英伟达为了确保HBM稳定供应，已向SK海力士和美光支付数亿美元的预付款，等同已确定供应合约。三星电子近期也已结束产品测试，与英伟达签订HBM产品供应协议。英伟达已将HBM供应商从SK海力士拓展到了三大存储巨头。

根据TrendForce 11月27日的一份报告显示，HBM3E方面，美光已于今年7月底提供8hi（24GB）英伟达样品，SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品，三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品；预计他们将在2024年第一季完成HBM3E产品验证。

◆美光公司称目前正处于为英伟达下一代AI加速器供应HBM3E的最后验证阶段。美光的HBM3E预计2024年初量产，有望在2024会计年度为美光带来数亿美元的营收——在这极为乐观的销售预期背后，美光2024年全年的HBM预估供给已全数售罄。已有一家客户（英伟达）预付6亿美元，支持美光开发新产品。目前美光主要客户正在对美光开发的HBM3E进行质量评估。算力服务器，最核心的器件，一个是GPGPU（算力卡），一个是高性能存储（HBM）。

算力卡被英伟达垄断，国产卡有华为昇腾、寒武纪，和英伟达比起来差距很大。

HBM（High Bandwidth Memory），意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的DRAM，HBM的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保存到帧缓存区中，等待GPU调用。HBM是DRAM三个类型的图形DDR，与其他DRAM最大的差别就是拥有超高的带宽。超高的带宽让HBM成为了高性能GPU的核心组件。最新的HBM3的带宽最高可以达到819 GB/s，CPU和硬件处理单元的常用外挂存储设备DDR4的带宽只有HBM的1/10。

目前由于摩尔定律的限制，GPU性能已经到达了一个瓶颈，所有算力卡都在狂堆HBM来提升性能。研究先进制程提升内核，性能也就提20-30%，多放一块HBM性能提升60%-90%。HBM被海力士垄断，国内合肥长鑫在奋力追赶，差距也很大，但没有算力卡那么大。

海力士向国内供货是畅通的，性能不足的国产算力卡也可以通过堆HBM来提升性能，先保证“能用”。所以HBM是全球算力最大的刚需，也是我国国产算力的关键，发展AI最大的刚需，需求暴增带来的必然是涨价。

硅通孔技术（TSV）是HBM核心工艺，成本占比接近30%，是HBM封装成本中占比最高的部分，利用该技术才可以实现存储芯片3D堆叠等方面。（HBM封装成本的拆分中，TSV形成的占18%的成本，TSV背面露头的工艺占12%的成本。）HBM堆叠层数增加和IO密度提高都利好电镀液

强力新材：全球TSV电镀液寡头陶氏杜邦授权合作，规避美国制裁；工厂位于盛合晶微旁边，目前贴牌杜邦电镀液，工厂建设完毕后续自主生产；PSPI送样盛合晶微，预计24年上半年批量出货；

德邦科技：Chiplet用的核心胶膜DAF，目前德国垄断，国内仅德邦科技在研，是国内唯一一家开始通过认证、小批量认证测试的厂家，预计下半年能够打破垄断，实现量的销售。存储的封装、3d、2.5d封装、chiplet都会用到这种材料。

　晶方科技：车规级CIS领域TSV封装技术具备量产能力；

华天科技：基于TSV封装技术的产品已经量产；

大港股份：孙公司苏州科阳从事TSV晶圆封装业务；