中信建投：第三代半导体前瞻，碳化硅将在2022-2026年迎来爆发期，国产化将是中长期趋势
【本文来自持牌证券机构，不代表平台观点，请独立判断和决策】①碳化硅作为第三代半导体，拥有突出的性能，当前在全球电动化趋势推动下，供给和需求都在快速提升。②据测算，预计2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元，复合增长率为20%，然而当前碳化硅衬底主要被3家公司垄断，占据80%市场份额。③国内企业开始技术突破，天科合达和山东天岳的全球市占率合计不足 5% ，但随着公司技术水平不断提升以及产能释放，预计两者在导电型衬底领域的市占率将会进一步提升。
【本文来自持牌证券机构，不代表平台观点，请独立判断和决策】中信建投认为，碳化硅作为性能更加突出的第三代半导体，供给和需求都迎来快速增长，在国产化趋势下，将是中长期投资机会。1）碳化硅性能优势突出，市场规模快速成长碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。随着下游需求爆发，2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元，复合增长率为20%，对应的SIC衬底市场规模讲从7亿美元增长到17亿美元，复合增长率为25%。2）需求：下游产业链应用爆发，SiC市场需求红利释放把SiC器件发展分为三个发展阶段：2019-2021年为初期，2022-2023年为拐点期，2024-2026年为爆发期。SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开，需求迎来爆发增长，其中，能源汽车是SIC器件应用增长最快的市场，预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元，复合增长率为30%。3）供给：短期产业链受限衬底产能，长期产能扩张带来价格下降碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供应商，CR3市场占有率达到80%以上，国内厂商为代表的衬底厂商的产品良率、品质和生产效率还有一定差距。短期看中高功率器件产业链的上游主要还受衬底CR3控制，另外随着CR3逐步提高材料自用比例提升，产能的提升的同时市场供给有限，整体供给偏紧状态。根据WolfSpeed数据显示，预计2022年和2024年的产能分别达到167K平方英尺到242平方英尺，折算6寸对应的85万片和123万片，通过测算预计全球2022年和2024年市场销量折合6英寸分别约为170万片至250万片。4）碳化硅国产突破正加速，迎来中长期投资机会碳化硅市场海外以IDM为主要运作模式，国内衬底厂商为天岳先进（绝缘型衬底为主）、天科合达（导电型衬底为主）、中电科（烁科）、露笑科技、晶盛机电；外延片方面：瀚天天成、东莞天域、中电科等均已完成了3-6英寸碳化硅外延的研发和生产；器件方面：斯达半导体、士兰微推出SiCMOSFET功率器件和模块；晶圆代工方面，X-Fab为最大代工厂，并为80-90%的无晶圆厂碳化硅厂商提供服务；汉磊和积塔大幅增加资本开支用以扩展SiC产能；IDM方面：三安光电具备全产业整合生产能力（衬底/外延/器件/封测）。
来源：中信建投