日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我国在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

第四代半导体，也被称为宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor, WBG），其优势包括：

1. 更高的工作温度：第四代半导体具有更高的材料熔点和更高的热稳定性，可以在高温环境下工作，可以被用于高温应用中，如气体开关、飞行器和火箭发动机等。

2. 更高的能效：相比于传统的半导体材料（如硅和锗），第四代半导体具有更大的能隙，因此更容易实现高功率密度和高转换效率。这些特性使其成为电力电子器件中的理想选择。

3. 更快的响应速度：第四代半导体能够承受更高的电场强度，具有更高的电子迁移率和更快的电子速度，因此响应更快，并可以用于高频应用。

4. 更小的尺寸：第四代半导体比传统半导体更小，可以制成更小的器件，从而减少电路板大小，提高器件集成度。

5. 更长的使用寿命：第四代半导体的寿命比传统半导体更长，可以更好地承受高压和高温环境中的电压和电流变化。

这些优势使得第四代半导体拥有广泛的应用前景。未来市场无限光明！有如下几家公司已提前布局，可能会充分获益！

1、新湖中宝：新湖中宝持股杭州富加镓，专业从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。

2、中瓷电子：中瓷电子控股股东中国电科经过多年氧化镓晶体生长技术的探索，采用导模法成功制备出高质量氧化镓单晶。近期，中国电科13所正将氮化镓通信基站射频芯片业务注入上市公司。

3、三安光电：三安光电子公司湖南三安致力于第三代化合物半导体碳化硅及氧化镓材料、外延、芯片及封装的开发。

4、南大光电：南大光电在互动平台表示，公司三甲基镓产品可以作为生产氧化镓的原材料。

5、蓝晓科技：蓝晓科技：国内金属镓提取领域处于绝对龙头地位，坊间号称“提镓第一股”。