总结来说，SSMB-EUV 光源用于 EUV 光刻具有以下特点及潜在优势：

1) 高平均功率: SSMB 储存环支持安装多条EUV 光束线，可同时作为光刻大功率照明光源及掩模、光学器件的检测光源,还可以为 EUV 光刻胶的研究提供支撑:

2) 带宽与高准直性: SSMB 光源容易实现EUV 光刻所需的小于 2% 的窄带宽要求，并且波荡器辐射集中于 < 0.1 mrad 的角度范围内.窄带宽以及高准直的特性可为基于 SSMB 的 EUV 光刻光学系统带来创新性的设计。同时可以降低 EUV光学反射镜的工艺难度:

3) 高稳定性的连续波输出: SSMB 输出的是连续波或准连续波辐射.可以避免辐射功率大幅涨落而引起的对芯片的损伤. 储存环光源的稳定性好，采用 top-up 运行模式的 SSMB 储存环，可使光源的长时间可用性得到进一步提升.

4)辐射清洁: 与 LPP-EUV 光源相比，波汤器辐射的高真空环境对光刻的光学系统反射镜不会产生污染.镜子的使用寿命可以极大延长;

5) 可拓展性: SSMB 原理上容易往更短波长拓展,为下一代采用波长 6.a nm 的 Blue-X 光刻技术留有可能.

总结：

一款下一代光源技术，相对于当前最牛的ASML现有技术，能够提升功率，从而为光刻机从5nm到3nm乃至更高提供可能。

但是，网传的那个回型加速器曲线救国提高控制精度可能不实。距离中国EUV光刻机还差精密透镜组设计加工精密机械控制等很长的一段路要走。

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