NVIDIA发布H200, H200 是首款提供 HBM3e 的 GPU，借助 HBM3e，显存带宽从H100的3.35TB/s增加到了4.8TB/s，提升43%，141GB 显存与H100的80GB相比直接提升76%。H200在芯片架构上并未调整而显存却翻倍，说明大模型训练缺的不是算力是存力。HBM3E是一种基于3D堆叠工艺的DRAM存储芯片，AI服务器必须配套HBM3E使用，算力要求更高，对高宽度内存的要求就越高。HBM与GPU配套使用，假设H200使用量与H100相同，因H200的HBM容量基本翻倍+HBM3E单价更高，HBM市场需求规模有望翻倍。22年HBM市场海力士/三星/美光的份额为50%/40%/10%，HBM市场持续扩容，国内概念升温。 行业展望方面，当前Nand Dram涨价明趋势确立，龙头大厂三星预计第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，明年一二季度持续涨价10%-20%，高端存储需求提升趋势明显。需求端来看手机、笔电、服务器、可穿戴等需求有望环比提升，AI、AR/VR新品、智能汽车等有望持续拉动存储需求。供给端国内两大原厂扩产增资落地，国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近，份额占比逐步提升。模组厂库存持续提升，明确备货看好Q4及明年涨价趋势及需求情况。 行业跟踪方面，本周NAND Flash Wafer价格继续上调，DDR4 16Gb价格持平，DDR4 8Gb及4Gb价格下调。渠道市场方面，市场整体需求较为平淡，但由于NAND资源供应有限并继续涨价，本周渠道SSD价格上调，而部分品牌内存价格小幅调整，本周渠道内存条价格下调。行业市场方面，由于NAND资源价格一路上扬，有实际需求的客户不得不接受涨价，但市场整体观望氛围浓厚，本周上调部分行业SATA SSD价格，其他价格维持不变。 嵌入式市场方面，本周现货嵌入式市场出现些杂音，令有备货需求的客户转为观望态度，但由于嵌入式NAND供需更为吃紧，加上原厂主导NAND供应并持有更强的定价权，现货嵌入式价格盘整后继续上调的可能性更大。本周嵌入式价格基本维持不变，部分eMMC价格跟进市场小幅上调。

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