旭光电子——氮化铝是一种综合性能优良的先进陶瓷材料。因具备高热导率（热导率是目前氧化铝陶瓷材料的7-10倍）、热膨胀系数与 Si 匹配度高、高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、化学稳定性等特性，是国内外公认的第三代半导体关键材料和电子器件的先进封装材料。目前，公司自产氮化铝粉体，主要性能指标经权威机构检测认证，与代表世界先进水平的日本德山为同一级别，满足高热导封装材料及半导体设备用结构件等高端氮化铝产品用粉体需求。氮化铝封装材料（基板）方面:公司所生产的氮化铝LED基板、激光热沉基板、功率半导体模块基板及高温共烧多层基板等产品，已在下游应用端的三十余家企业认证通过及实现供货销售;目前公司氮化铝基板已应用于DPC、DBC、AMB及HTCC等金属化工艺领域，已成为国内氮化铝基板主要供应商。氮化铝结构件方面：公司所生产的氮化铝大尺寸结构件，已应用于半导体产业及泛半导体产业（含光伏产业）的光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、离子注入等工艺中,目前已通过国内多家半导体（含光伏）设备企业的认证及实现供货销售。发射管作为大功率射频电源的核心器件，具有负载能力强、工作频率高的特点。公司作为国际先进的大功率发射管生产企业，研发能力强、产品系列齐全，产品种类达百余种，其产品工作频率范围在0.1MHZ-1000MHz之间、输出功率范围在1KW-1MW之间。产品可应用于雷达、医疗、CO2激光设备、广播电视、半导体设备、可控核聚变等领域。目前，公司用于光刻机、等离子清洗/抛光等半导体设备领域的发射管产品已经客户验证通过，并实现批量销售。

公司和中科院合肥等离子研究所等单位合作，承接了中国国际核聚变能源计划执行中心立项的“长脉冲高功率四极管方案设计及关键工艺研究和整管制备”课题，公司大功率电子管等相关业务将受益于可控核聚变的商业发展！...