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SK海力士即将大规模生产HBM3e
Jason
为国接盘的散户
2024-02-22 05:51:46
据报道,SK海力士已顺利完成第五代高带宽存储器HBM3e的开发及性能评估,预计将于3月开始大规模生产,并向英伟达供货。

据了解,HBM即高带宽存储芯片,是由多层DR­A­M­d­ie(动态随机存取存储器的裸芯片)垂直堆叠制造,因其高带宽、低功耗、小体积等特性,被广泛应用于AI服务器场景中。当前,HBM3e是最新一代产品,由SK海力士率先发布,并被英伟达搭载到2023年发布的GPU芯片H200中。

从市场前景来看,AI大发展带动AI服务器出货量持续提升,催化HBM需求持续增长。咨询公司Tr­e­n­d­f­o­r­ce数据显示,2022年AI服务器出货量86万台,预计2026年AI服务器出货量将超过200万台,年复合增速29%。AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发,叠加服务器平均HBM容量增加,预期到2025年,全球HBM市场规模达到约150亿美元,增速超过50%。

在市场需求的拉动下,HBM的主要供应商SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂,均在积极扩产。比如,SK海力士计划在2024年实现HBM产能翻倍;美光2024年资本开支约75亿至80亿美元,主要用于HBM量产。

从产业链角度来看,HBM需求爆发,上游的原材料将深度受益。业内认为,HBM带来堆叠层数提升、散热需求升级,对封装材料及粉体颗粒性能提出更高要求,带动了具备高导热、低填充粘度、高性价比的球形氧化铝粉需求增加。据中泰证券测算,单颗HBM填料用量5克(包括高端球硅及Low-α球铝),预计2030年HBM用高端封装填料需求有望达到980吨左右。

当前,球形氧化铝高端产品技术及下游认证壁垒高,市场主要由日企占领,在本土企业持续加大技术攻关背景下,一批瞄准高端市场、实现进口替代的本土企业,有望在未来两至三年迎来高速增长。

A股公司中,在球形氧化铝粉领域,壹石通披露称,公司Low-α球形氧化铝产线调试已进入收尾阶段,日韩客户验证工作近期仍在持续推动,主要是针对客户的差异化、定制化需求进行逐步完善,目前相关工作接近收尾,待客户进一步反馈,公司尚未收到批量订单。此外,公司Low-α球形二氧化硅产品已实现量产,但存量产能较小,新产线规划了千吨级产能。

联瑞新材表示,公司供货到先进封装材料的部分客户是日韩等全球知名企业,已配套并批量供应Low-α球硅和Low-α球铝等高性能产品。

天马新材是国内最早一批研发球形氧化铝的企业,公司相关负责人表示,公司年产5000吨球形氧化铝生产线正处于设备安装阶段,预计今年6月有新产能释放。公司高纯氧化铝生产线计划于今年内完善,预计年产量几十吨,同时,包含高纯氧化铝、球铝、氮化铝等高端产品正在紧密研发升级中。

从封装结构看,HBM主要采用Co­W­oS和TSV两种封装工艺。当前,HBM与GPU集成的主流解决方案为台积电的Co­W­oS封装工艺,该方案被广泛应用于A100、GH200等算力芯片中。HBM层与层之间通过TSV(硅通孔)及μbu­m­ps(微凸块)技术实现垂直互联,从而实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。

上市公司层面,太极实业子公司海太半导体为SK海力士提供DR­AM封装服务,有望获得后者HBM出货量爆发溢出的封装需求。SK海力士还持有海太半导体45%股权,二者形成深度绑定。

通富微电具备2.5D/3D封装平台及超大尺寸FC­B­GA(倒装,一种封装工艺)研发平台,可为客户提供晶圆级和基板级Ch­i­p­l­et封测解决方案,已量产多层堆叠NA­ND Fl­a­sh及LP­D­DR封装,是国内首家完成基于TSV技术的3DS DR­AM封装开发的封测厂;其通过收购AMD苏州及AMD槟城各85%股权,实现与大客户AMD深度绑定,有望受益于AMD MI300芯片的大幅放量。

在2.5D、3D封装领域,盛合晶微是本土最具有突破的公司,多家A股公司与其有合作。比如,德邦科技在互动易表示,公司正在与盛合晶微开展技术交流、产品送样等业务接洽,目前尚未有产品开始批量供货。艾森股份在电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂上与盛合晶微有合作。
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  • 韭久为功
    蜜汁自信的老韭菜
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    02-22 08:19
    谢谢分享!
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