利基型存储市场拐点已现

1.1利基型DRAM价格领涨，SLCNAND和NORFlash触底反弹

原厂控产效果显著，带动存储行业高速增长。据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29.6%。

NAND产业方面，2023年第四季NANDFlash产业营收达114.9亿美元，季增24.5%。主要受惠于终端需求因年终促销回温，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，位元出货较去年同期旺盛；同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法，且启动策略备货。

利基存储市场中，DRAM价格率先反弹。受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及原厂对HBM、DDR5产能切换，利基型DRAM价格在23Q3触底后开始持续反弹，领涨利基型存储市场。

价格方面，DDR3与利基型DDR4在23Q3已经触底，并且持续反弹。根据DRAMeXchange数据，DDR3的2Gb与4Gb现货价格均在23年7月-8月之间触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了17.3%与11.6%，相比2024年1月1日的价格分别上涨了7.1%与3.8%。利基型DDR4方面，根据DRAMeXchange数据，DDR4的4Gb与8Gb均在2023年9月触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了21.4%与22.7%，相比2024年1月1日的价格分别上涨了6.6%与6.3%。

产能规划方面，三星2023Q4 DRAM大幅减产，在库存压力改善后，2024Q1投片开始回升，稼动率约为80%。2024年下半年旺季，需求预期将较2024年上半年明显增温，产能会持续拉高至第四季。SK海力士则积极扩张HBM产能，投片量缓步增加，随着HBM3e量产后，相关先进制程投片亦持续上升。美光投片量有回温趋势，后续将积极增加其先进制程1beta nm比重，用于生产HBM、DDR5与LPDDR5(X)产品，因先进制程的设备增加，届时产能将较为收敛。原厂DRAM产能的减产以及HBM、DDR5等芯片占比的提升，将持续挤压利基型存储的产能，改善供需结构，为价格上涨提供支撑。

SLCNAND与NORFlash价格触底，AI服务器、PC与手机拉动行业需求。SLCNAND方面，根据DRAMeXchange数据，以2Gb容量为例，其产品价格在23年9月触底企稳，截止2024年4月12日，其价格相比最低点增长3.9%。NORFlash方面，中大容量产品价格已经处于底部，随着需求的拉动，价格有望提升。

生成式AI为当前电子行业带来诸多机遇，NOR flash在AI服务器中的应用大幅上升，例如GPU的增加将带动终端设备增长40-60颗NORFlash，其搭配的网卡等周边设备也将采用NORFlash存储。此外，边缘侧的AI应用例如AIPC与AI手机也需要额外的NORFlash资源，将有望带动NORFlash市场需求提升。

投资建议

2024年存储行业将显著回暖，利基型存储行业将持续受益，利基型存储行业建议关注：

1、兆易创新：国内NORFlash龙头公司，布局SLCNAND，利基型DRAM将有望成为公司重要增长曲线。

2、北京君正：国内车规级存储领先企业，有望显著受益于存储价格提升与行业库存出清。

3、东芯股份：国内SLCNANDFlash领先企业。

4、普冉股份：NORFlash重点布局，利用中小容量领域的独特工艺优势带来高性价比产品。

5、恒烁股份：NORFlash重点布局，延伸参与MCU与存算一体方向。

此外，存储行业其它方向维持建议关注：

1、模组：佰维存储、德明利、香农芯创、协创数据、江波龙、万润科技；

2、材料：雅克科技、鼎龙股份、上海新阳；

3、测试机：长川科技、精智达；

4、DDR5：澜起科技、聚辰股份；

风险提示：需求回暖不及预期；产品价格上涨不及预期。