长江存储计划今年产量提高一倍，并准备试产192层NAND Flash。

长存扩产，制程提高，对应不同制程CMP用量或将呈倍数增长。2020年长存产能达至5w/月，如若21年长存产能实现了10w/月的扩产，对应CMP抛光垫的需求量或将翻倍增长。在2020年对应2w/月的64层NANDFlash产量，长存所需CMP抛光垫约在千万级别，随着制程从64升级至128，再至后续试产的192层，CMP用量在64层至198层的过程中有望实现翻倍。

假设稳态情况下，长存10w产能全部释放，且64/18/192分别占据30%/60%/10%的产能，且保守预计鼎龙份额不变的基础上(75%)，长存对于鼎龙的需求量起步中性预计将会在4e，乐观情况将会超过5至6e级别。

国产化需求加速推动。芯片制造原材料的国产替代需求下，鼎龙当前已经实现了28nm全制程的突破，且向14nm进军;且中芯国际被禁后，对于高美国化率的CMP抛光垫的限制或将进一步加速鼎龙CMP抛光垫的发展;结合当前长存的扩产及制程升级，未来鼎龙CMP抛光垫有望具备更大的弹性。