根据行业数据，上周DRAM 18个品类现货价格平均涨跌幅为-0.4%，前值为-0.8%，现货价格跌幅放缓，基本企稳。NAND 37个品类现货平均价格涨跌幅为0%，前值为-0.4%，NAND大多型号价格呈持平或弱修复趋势，其中DDR5周涨幅0.1%，核心原因是由于AI服务器对高端产品需求增加，以DDR5和HBM为代表的高端存储产品复苏。上周三星在其法说会上表示将延长减产行动，并调整NAND等特定产品的产出；海力士上周也表示额外减少5-10%的NAND产量，此前美光也宣布进一步减产DRAM与NAND至少30%产能，持续到24年。在需求端弱复苏背景下，行业龙头持续减产，存储器价格近期已经表现跌幅持续放缓，并逐渐企稳的趋势，行业周期拐点有望提前。此前报道，存储器原厂计划在今年三季度全面涨价，涨幅5%~30%不等，主要原因在于三季度中下旬，随着减产效应生效，市场需求回暖，从而由芯片原厂逐渐影响成品端的定价，存储行业整体在三季度有望迎来周期性拐点。除了周期性复苏外，受益AI对高端存储需求的释放，存储中的部分品种如HBM需求持续高景气。8月1日消息，行业人士透露，三星电子、SK海力士等存储半导体企业正在推动HBM产线的扩张，两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。在周期复苏与AI需求释放双轮驱动下，存储行业有望率先走出行业底部，在下半年实现业绩逐季修复，二季度或是行业基本面低点，从目前已经披露的存储行业核心公司业绩来看，二季度行业营收端已经率先平均超20%的环比修复，预计三季度随着涨价落地，利润端将呈现环比修复。