综述

第三代半导体有两种材料：SiC和GaN。SiC有两种产品：导电和半绝缘。半绝缘是SiC衬底外延GaN，做微波射频器件，用在5G基站上，最早是用在军方的相控阵雷达。导电是SiC衬底外延SiC，做电力电子器件，用在新能源汽车、光伏逆变器、数据中心、高铁、特高压输点等高压应用领域。导电这块和Si衬底外延GaN有竞争，但Si基电压很难做上去，可靠性也不好，所以Si基一般用在低压、低可靠性场景（消费电子），如快充。SiC未来是要取代Si基的二极管和三极管：SiC SBD取代Si FRD，SiC MOS取代Si IGBT。