HBM（High Bandwidth Memory）是一种高性能的DRAM内存，通过TSV（ThroughHBM（High Bandwidth Memory）是一种高性能的DRAM内存，通过TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔）技术实现芯片内部垂直方向的电互连。单个存储芯片通过这种方式连接，可以极大地提高数据处理速度和效率。

水平电镀在这其中起到了关键的作用。电镀过程能够控制电流、温度、硅片与电极的相对位置以及添加剂的浓度等参数，从而实现优秀的电镀效果。电镀液中的加速剂能够吸附于阴极表面，通过配位效应加快铜离子扩散，减小阴极极化，加速晶核形成，促进铜沉积。抑制剂可以抑制铜的沉积，增加阴极极化，同时可以增加铜表面的亲水性。而整平剂则可以使镀层表面趋于平坦化。

优化的电镀条件及添加剂的使用对于实现高质量的电镀效果至关重要，并能够进一步推动HBM技术的持续发展和市场扩大。因此，水平电镀在HBM中的作用不可忽视，是实现高性能内存的关键步骤之一。