英伟达B100甚至H200开始逐步标配1.6T
1.6T会更多使用单通道200G(DR8/2FR4)等方案,而波特率的提高将更明显的把TFLN(薄膜铌酸锂)带宽优势显现出来。
相较于InP(成本)/Siph硅光(功耗)/铌酸锂晶体(尺寸)短板,薄膜铌酸锂可实现超快电光效应和高集成度光波导,具有大带宽、低功耗、低损耗、小尺寸等优异特性。
【薄膜铌酸锂有望成为800G到1.6T上的最大变量】。单个1.6T光模块上薄膜铌酸锂调制器价值量有望突破100元。未来市场空间百亿以上。
标的建议重点关注薄膜铌酸锂调制器芯片厂商【光库科技】,同时建议关注已经具备薄膜铌酸锂TFLN方案的头部光模块厂商【中际旭创/新易盛/联特科技等】。