全球首片 8 寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在我国下线,此外我国超高速微波光子学芯片研发成功。铌酸锂材料具备优异的光学性能,集成铌酸锂微波光子芯片不仅速度比传统电子处理器快1000倍,且具有超宽处理带宽和极高的计算精确度,能耗也更低。同时,采用薄膜铌酸锂调制器可以使得单通道速率 超过 200G,未来还有望成为 1.6T 以上光模块的重要解决方案。
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