【微导纳米】长cun长三金薄膜沉积设备核心提供商，去年已批量供菊花

#微导纳米：ALD设备龙头，已配套给两长开发成功LPCVD和PECVD，并斩获大量订单，去年年中已开始给菊花公司发货。长三金有望成为其半导体业务24年第一大客户，因为独供LPCVD和ALD。公司也是首家将量产型high-k ALD设备应用于28nm半导体产线的国内厂商，也是光伏ALD设备市场70%市占率总龙头。23年实现营收16.83亿元，同比+145.82%；23年实现归母净利润2.56亿元，同比+374.47%；实现扣非归母净利润1.74亿元，同比+779.06%。

#订单：23年新增订单总额约64.69亿元，同比+196%；其中半导体领域新增订单同比+229%。已经覆盖逻辑、存储、硅基OLED和第三代半导体等细分领域，其中国内存储客户验证成功，受益存储客户扩产需求，24年新增订单体量或有望达15亿元。同时23年首台CVD设备7月发货至菊花公司，并收获批量重复订单，预计在手的菊花公司订单达到大个位数亿元；24年光伏还有XBC和钙钛矿叠成电池专用设备放量。

#盈利预测：1）光伏设备在手订单充足，24年仍将保持100-120%增速，对应25.3亿收入，18%净利率，4.55亿净利润，给予30x估值，137亿市值；2）半导体设备22年不足0.5亿，23年开始放量至2.3亿，24年根据在手订单和长存长鑫扩产计划，有望取得7-8亿收入和15亿订单，25年突破13亿收入，给予24年15xPS(对标拓荆14.4倍PS），得120亿市值  3）备品及服务，23-24年分别为2.5、4.5亿收入，24年1.5亿利润，给予30x估值，45亿市值。  合计137+120+45=302亿市值，对应目前80%涨幅空间

#产业背景：复旦大学微电子学院周鹏团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，在2020年底验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2nm的围栅多桥沟道晶体管(GAA，Gate All Around)，实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。报道提到，工艺制程提升到5nm节点以下后，传统晶体管微缩提升性能难以为继，需要做重大革新。于是GAA晶体管乘势而起，它可实现更好的栅控能力和漏电控制。此番周鹏团队设计并制备出超薄围栅双桥沟道晶体管，驱动电流与普通MoS2晶体管相比提升超过400%，室温下可达到理想的亚阈值摆幅(60mV/dec)，电流降低了两个数量级。尤其接下来的3nm会出现GAA gate-all-around，原来只是在硅的表面或者它的侧面做晶体管，到了GAA发现硅的背面也需要去做晶体管，那积的原理决定了它对于图案背面的覆盖能力是非常差的。只有用到ALD，因为ALD是根据你的表面在哪里，它就可以在你的表面形成一层非常均的、致密的薄膜。所以ALD会大量用到GAA，往后会是跨越式增加对ALD的需求。

#产业逻辑：堆叠工艺越多，ALD 设备需求越多：相较于PVD、CVD等薄膜沉积技术，ALD最大的特点在于自限制性，将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在基片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的薄膜沉积技术，ALD设备具备优秀的多面体表面成膜能力，薄膜控制精确度高，台阶覆盖率高，可以满足复杂结构体的镀膜需求。