这份文件是由高盛（Goldman Sachs）发布的关于高带宽内存（HBM）市场的研究报告。以下是报告的核心内容概要：
HBM市场增长预测:预计到2026年，HBM市场将增长10倍，达到230亿美元，年复合增长率（CAGR）为77%。
这一增长主要受到AI服务器出货量增加和每个GPU的高带宽内存（HBM）密度提高的推动。
供应商增加HBM产能:尽管供应商计划增加HBM产能以应对强劲的需求增长，但由于较大的芯片尺寸和相对于传统DRAM较低的生产产量，预计未来几年行业供应将持续不足。
主要DRAM供应商受益:包括SK海力士（Hynix）、三星电子（SEC）和美光科技（Micron）在内的所有主要DRAM供应商都将从HBM市场的强劲增长和紧张的供需关系中受益。
这导致了HBM定价溢价的持续存在，可能提高各公司的DRAM利润率。
HBM技术发展和市场竞争力:预计Hynix将保持50%以上的HBM市场份额，得益于其与主要GPU客户（主要是Nvidia）的强大客户/供应链关系和HBM封装技术。
SEC有机会在中期内获得市场份额，特别是在HBM3E和2.5D封装方面取得了进展。
Micron专注于HBM3E，从2025年开始可能帮助公司超越同行。
HBM供需分析:预计HBM市场将继续面临供应紧张，2024年和2025年的供应不足率分别为2.0%和1.0%，2026年将变得更加平衡，但仍有0.7%的轻微供应不足。
这种供需紧张局势是HBM价格不太可能大幅下降的主要原因，预计未来几年HBM的高定价溢价将继续存在。
HBM技术发展:Nvidia在其GTC上宣布，其新发布的Blackwell平台将每个GPU使用192GB/288GB的HBM3E。
预计HBM3和HBM3E市场将占据今年HBM市场的85%，而去年仅为52%（只有HBM3）。
投资评级和目标价格:高盛重申对Hynix、SEC和Micron的买入评级，并提高了目标价格。
对于Hynix，目标价格从185万韩元上调至210万韩元；对于SEC，目标价格从95万韩元上调至97万韩元。
风险因素:主要风险包括内存供需的重大恶化、智能手机利润率的急剧收缩以及移动OLED市场份额的丧失。
这份报告提供了对HBM市场的深入分析，包括市场增长预测、供应商策略、技术发展和投资评级等关键信息。。