作者:胡剑,叶子,周靖翔核心观点半导体存储将随数据量的增加向高密度、大容量方向发展。半导体存储通过半导体介质贮存电荷进行信息存储。根据WSTS数据,22年全球集成电路规模为4744亿美元,其中存储芯片规模为1298亿美元(占23%),与逻辑芯片构成集成电路的两大支柱。未来NAND从平面到4D发展;DRAM制程不断缩小,DDR5加速渗透;HBM等先进封装将在AI服务器等高性能领域加速渗透。存储产业:周期与成长并存。存储芯片偏标准化,资金投入随工艺节点升级而陡增,使得行业进入壁垒高企,因此行业周期性强且CR3超90%。目前存储价格持续下降,需求疲软导致周期底部拉长至3Q23后。原厂陆续减产、削减资本开支,预计2H23价格降幅有望收窄,行业触底后将以低增速回暖。未来数据量增加,单位服务器NAND用量将增加3倍、DRAM增加2倍;21-27年汽车智能化的存储需求增长复合增速为20%。上游存储芯片:国产化进程加速。DRAM市场CR3超95%,主要应用为移动设备(36%)和服务器(19%);NANDFlash市场CR6占98%,主要产品为固态硬盘(SSD)。目前中国存储需求占全球30%,自给率低于10%,长存、长鑫等国产厂商与设备商共同推动国产化进程加速。此外,利基存储市场合计超164亿美元,海外大厂持续退出,国产厂商崭露头角迎成长新机。下游存储模组:企业级与行业级市场为主要增长点。SSD与嵌入式存储为NANDFlash模组的主要形式,根据Yole数据,预计22-28年SSD市场总规模将从290亿美金增至670亿美金,CAGR为15%;其中企业级与行业级SSD为主增长点。DRAM模组(DIMM)主要增长来源为服务器,根据Yole数据,22-28年RDIMM出货量年复合增速达15%,LRDIMM和其他服务器内存模组增速为21%。模组侧配套芯片:SSD与DDR5渗透驱动行业加速成长。NANDFlash模组主控芯片是存储器的大脑,全球SSD主控芯片中门槛较高的企业级SSD占12.4%,工业级占3.7%,为国产厂商主要发力方向。随DDR5渗透,DRAM模组在内存接口芯片基础上加入串行检测集线器、温度传感器以及电源管理芯片等配套芯片,其市场将由21年7.1亿美元增至27年约40亿美元,复合增速约为28%。产业链相关公司:国产化为存储产业主旋律,企业级与行业级应用为主要发力方向。相关公司包括利基存储的北京君正、兆易创新、东芯股份、普冉股份等,封测与设备环节的通富微电、中微公司、拓荆股份及雅克科技,模组环节的江波龙,模组套片或主控芯片的澜起科技等。风险提示:1、需求不及预期;2、市场竞争恶化;3、原材料采购受限。
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