在11月13日，全球知名的图形处理器制造商英伟达发布了其下一代人工智能超级计算机芯片。这款名为H200的芯片，采用了最新的HBM3e技术，能够以每秒4.8TB的速度提供高达141GB的内存。相比之前的A100芯片，H200的内存容量几乎是其两倍，而带宽则增加了2.4倍。

方正证券在其最近的研究报告中指出，与传统的DDR内存技术相比，HBM内存在带宽、面积和功耗等多个方面都具有显著的优势。这使得HBM内存能够在数据中心环境中有效地缓解能耗压力和带宽瓶颈问题。随着训练和推理环节对计算能力需求的持续增长，以及消费端和边缘侧算力的增长，HBM内存市场的发展空间正在逐步打开。

HBM内存技术的持续迭代升级也是未来市场的重要趋势。预计到2023年，主流的HBM内存将从HBM2E升级为HBM3，甚至可能直接升级到HBM3E。据预测，到2024年，HBM3内存的市场份额将达到60%。从全球范围来看，2022年的HBM市场规模约为36.3亿美元，预计到2026年，市场规模将增长到127.4亿美元，复合年增长率（CAGR）达到37%。

 

根据Yole数据研究中心的报告，预计到2026年，先进封装技术的全球市场份额将达到50%。这一快速发展的趋势有望带动上游材料需求的增长和结构优化。

集成电路的高集成度和多功能化等发展趋势，也带动了对低CUT点、高填充、低放射性含量的硅微粉，以及具备特殊电性能如LowDf（低介质损耗）等特性的球形硅微粉和高纯球形氧化铝粉的需求增加。

在这个市场中，联瑞新材作为A股市场上唯一具备供货能力的供应商，其产品被广泛应用于先进封装领域，并为国际知名厂商供货。目前，瑞联新材已经成功匹配了以下几种应用场景：

1、在HBM方案中，颗粒封装材料（GMC）需要添加TOPCUT20um以下的球硅和Lowa球铝。瑞联新材的部分客户是全球知名的GMC供应商，公司为其配套供应HBM所需的球硅和Lowa球铝。

2、应用于FC-BGA封装UF的球形硅微粉。 

3、应用于热界面材料的高α相的球形氧化铝粉和亚微米球形氧化铝粉，以及应用于高导热存储芯片封装的Lowa球形氧化铝粉、应用于高介电（Dk6和Dk10）高频基板的球形氧化钛、液态填料等高尖端应用的系列化产品。

联瑞新材将继续坚持在球形填料等领域的发展，包括大颗粒精确切割、更加紧密的填充、高纯度、高导热性和特殊的电性能等方面进行研发和创新。公司计划在液态填料、亚微米球形填料、LowDf、Lowa等紧缺需求环节推出更多符合市场需求的下一代产品，并在氮化物方面有所突破。 

在2023年的第三季度，瑞联新材实现营业收入1.97亿元，同比增长43.43%，环比增长16.38%。同时，公司的归母净利润达到0.52亿元，同比增长32.66%，环比增长16.87%。

 

方正证券研报对联瑞新材的产品在先进封装领域的领先地位和医药领域的成长空间表示看好，并预计公司在2023年至2025年的归母净利润分别为2.06亿元、2.68亿元和3.25亿元，同比增长率分别为9.5%、30.0%和21.4%，对应的市盈率分别为44倍、34倍和28倍。

 

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