1、事件刺激：在美国对我国半导体持续打压的背景下，加快发展第三代半导体越发重要。作为新兴领域，目前为没有任何公司或国家主导的竞技场，在政策密集推动下国内有望实现弯道超车。

2、性能优越：与第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，第三代半导体GaN和SiC具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求，先天性能优越。同时第三代半导体下游应用领域广阔，数据显示，消费类电源、工业及商业电源、不间断电源UPS和新能源汽车为SiC、GaN电子电力器件的前四大应用领域，随着下游终端需求不断向好，第三代半导体的需求亦有望持续释放。同时叠加国家政策对第三代半导体发展的大力支持，行业潜在市场空间巨大。

3、市场空间巨大，国产替代空间广阔：据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。目前化合物半导体产业链各环节以欧美、日韩和中国台湾企业为主，大陆企业在技术实力、产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距，市场话语权较弱。随着国家政策对第三代半导体的大力扶持，后续国产替代空间广阔，相关厂商有望迎来较好的发展机遇。

4、SiC产业链企业：SiC功率器件市场渗透率较低,增速较快,目前行业内企业还处于跑马圈地阶段,市场竞争格局存在不确定性,国内厂商有望在未来的增量市场中获得一定份额。目前全球的SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。美国在SiC晶圆产量上全球独大,Cree一家市占率高达6成;欧洲拥有完整的SiC产业链和英飞凌等老牌企业;日本是在设备和模块开发方面拥有领先地位。国内SiC晶片商山东天岳和天科合达已经能供应2-6英的单晶衬底;外延肪面,厦门瀚天天成与东莞天域可生产2-6对SiC外延片。

相关标的：量产类：华润微（国内首条6英寸商用SiC晶园生产线已量产）、晶盛机电（第三代半导体材料SiC单晶炉已实现销售）、海特高新（控股公司海威华芯在全球氮化镓芯片专利技术属于一流梯队）。布局类：露笑科技（与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园）、聚灿光电（20年投资约35亿元扩产Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片）。参股类：柘中股份（持有山东天岳2%股权，标的公司主要经营产品系碳化硅半导体衬底材料）。第三代半导体涉及个股较多，仅以代表性个股为例，具体个股详看表格。