 碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击 穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅 能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。  衬底为核心，技术瓶颈逐步突破。衬底是碳化硅产业链的核心，一直处于供不应求的状态，行业普遍处于快速扩产， 据天岳先进招股书援引CASA Research，2019 年有 6 家国际巨头宣布了 12 项扩产。 衬底的生长方法主要有物理 气相传输法( PVT)、高温化学气相沉积法(HT-CVD)法等。