事件：8月13日，美国商务部发布最终规定，对设计GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路所必须的EDA软件；金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料；燃气涡轮发动机使用的压力增益燃烧(PGC)等四项技术实施新的出口管制，生效日期为2022年8月15日。

两者是禁带更宽的第四代半导体，功率更大。对比：硅的禁带是1.1Ev，碳化硅3.3，氧化镓4.9，金刚石5.45。

FinFET是鳍式，极限是3nm。GAAFET是Nanowire，可实现2nm。

该技术可提高燃气涡轮发动机效率10%+。

1、核心目的是封锁先进制程芯片研发

GAAFET技术是一种适用于更先进（2-3nm）制程的晶体管结构，其外轮廓完全被栅极包裹，相较过往FinFET结构（仅较小面积被栅极包裹），对短沟道效应和量子隧穿效应压制效果更为良好，能有效支撑后续芯片制程的进一步提升。本次出口管控的核心目的是从原材料及工艺层面对我国芯片产业远期发展进行封锁。

2、EDA：出口管制影响可能超出预期

本次管控针对于GAAFET设计“专用”EDA工具（全部环节）。当前部分观点认为，本次出口管控仅涉及高端芯片设计，其应用制程远高于当前国内工艺水平，对国内产业实际影响较小。但实际情况显示，海外厂商各细分环节EDA软件均可同时支撑多种制程的芯片设计、仿真，并不存在单款EDA产品仅支持一种制程的情况，因此本次管控存在波及多款主流EDA产品的可能。正因EDA产品是以应用环节划分（设计、仿真、验证等）而非以制程划分，难以区分具体管控范围，美国商务部将EDA产品出口管控政策的生效期推迟至2022年10月14日（其他三项禁令于2022年8月15日即刻生效），并将在此期间讨论EDA产品管控名单。极端情况下，当前美国主流EDA产品出口均存在受影响的可能，国产替代紧迫性大幅提升。

由于模拟IC对芯片制程要求较低，GAAFET结构主要应用于数字芯片，因此本次管控数字类EDA所受影响将大于模拟类EDA，当前国产数字类EDA产品主要应用于仿真验证环节，前端设计仍需一定时间追赶。

3、培育钻石：逻辑升级

按技术路径来区分，国内的人造金刚石的主要方法为高温高压法和CVD化学气相沉积法，其中，高温高压法生产的金刚石单晶主要用于金刚石工具、光伏及半导体材料的切割，培育钻石应用于钻石饰品和光、声、电等功能性材料；CVD主要作为光、电、声等功能性材料和钻石饰品，其中功能性材料的应用尚处于研究阶段，有较少的应用成果，现阶段培育钻石是主要的应用方向。美国对半导体用金刚石的出口限制政策或加快国内产业对于CVD法制备工业金刚石在半导体的终端应用的速度，高温高压法制备的培育钻石可能在消费市场占据更多份额，中国作为高温高压法制备金刚石的最主要的生产国，市占率有望持续提升。

随企业不断布局CVD领域的应用，超硬材料技术优势有望提升。中兵红箭子公司中南钻石在微波等离子CVD设备上实现培育钻石毛坯批量制备技术的突破，国机精工储备MPCVD技术并通过募投项目投产相关设备，沃尔德、四方达等不断投产CVD设备，惠丰钻石成功研发生产出培育钻石产品。随着相关企业不断扩张CVD金刚石领域的应用，将带动国内CVD制备工业金刚石和培育钻石的技术不断进步，叠加国家在政策上支持金刚石产业发展的大趋势，未来终端应用领域有望进一步深化发展。随着下游的需求不断增加，工业金刚石和培育钻石市场空间广阔。

金刚石是最有应用前景的新一代半导体材料之一。目前全球各国都在加紧金刚石在半导体领域的研制工作，日本已成功研发超高纯2英寸金刚石晶圆量产方法，其存储能力相当于10亿张蓝光光盘。人造金刚石不仅可用于培育钻石，未来有望切入新一代半导体材料领域。