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海源复材
金融民工1990
长线持有
2022-12-17 16:42:32

海源目前有三个板块: 1. 装备板块:在福建福州,主要做陶瓷、耐热砖的液压机床。 2. 新材料板块:碳纤维、玻璃纤维的复合材料,主要用在锂电池的上盖,下盖是铝合金结 构,上盖为了减重用了很多的复合材料。目前我们的客户基础还是比较好的,包含宁德时代、 蔚小理、比亚迪、吉利、宝马,还有新成立的小米。 3. 光伏板块:在我们团队取得海源的实控权之后,也规划把光伏板块逐步注入到海源复材 的主营业务里。所以从去年开始,有了 1.5GW 光伏组件产能,在江西新余。今年开始又陆 续注入 600MW 的 HJT 和 2.1 GW 的 Topcon 产能。我们是在今年 5 月份立了 600MW HJT 的 项,但 7 月以后,随着市场需求发展,以及客户订单,考虑市场因素,觉得 Topcon 产能也 有必要投入。虽然 11 月份才经过董事会股东会公告,但前期我们已经通过自有资金做了一 部分的项目启动,所以现在整个项目的进度还算合理。基建工作跟进房一直在做,预计在农 历年前后可以达到搬入设备的标准,可以做装机。Topcon 设备、技术更成熟,所以会早一 点,大概在 Q1 会完成装机加调试,Q2 以后陆续就会有产出。HJT 会稍微晚一点,预计装机 会一直延续到 Q2,真正的调试投产会在 Q2 末。Topcon 采用的设备、工艺路线都是比较成 熟的,包含 LPCVD 等,主要做一些工艺优化,没有做太多的研发。但在 HJT 我们有两个新 的工艺,一个就是铜电镀(铜制程),最大好处是可以削减一半低温银浆的成本(2 毛/W→ 低于 1 毛/W),另外降本的同时转换效率不降反增,预计会增加 0.2%以上,甚至 0.3-0.5%。 在 PECVD,用的设备跟国内也不太一样,我们用的是美国应用材料公司的团簇式 PECVD, 8.5 代,每个腔体的大小是 2.2 米*2.6 米,相当于一个腔体的装载数量是 240 片,单机台的 产能就可以到 600 MW。未来我们的技术发展方向倾向 Topcon 和 HJT 结合。目前超过 2GW 在手订单都是 Topcon、perc。Topcon 和 HJT 不是绝对的二分法,很可能在某一个电池结构 或技术路线上做叠加或复合。 Topcon 和 HJT 都是在做选择性穿透、钝化,只是一个是高温制程,一种是低温制程。2024 年以前,我们会专注在 HJT 的工艺研发上,包含铜电镀、微晶硅;2024 年以后,会把 Topcon 和 HJT 的优点做一个叠加;2025 年以后,会做钙钛矿。 钙钛矿和苏州大学的邹贵付教授研究组有合作,目前效率可以做到 28.5%左右。 这个是刚提到的 Topcon 和 HJT 的复合结构,上面的部分是 Topcon 结构,是隧穿氧化层加 微晶硅,或用碳化硅取代微晶硅。下面是 HJT 结构,利用它适合做铜电镀的特性做背电级。 这是复合了 Topcon 和 HJT 结构的 BC 电池,是我们未来的研究方向。 Q:刚才说铜电镀成本 1 毛/W,相比 HJT 1.8 毛/W 有较大降幅,1 毛/W 是现在能做到的水 平吗?现在 2 亿的设备,掩膜板、药水成本大概对应什么水平?以及等我们投 600 MW,做 到 1 毛/W 的时候,又对应多少的设备、药水、掩膜板成本? A:铜电镀成本拆分: 1. 设备折旧成本:铜电镀现在单 GW 设备投入 1.5- 2 亿。两大环节,一个图形化部分,掩 膜-曝光-显影,另一段是铜电镀-去膜-去底铜,两段各占 50%。1.5 -2 亿里,5000 万的差距 主要在光源种类、图形化方式上,光源用激光或平行光,图形化用激光直写或掩膜光照,还 有传送方式,都会影响成本。按 10 年折旧来摊,每年每 W 折旧成本摊到 1.5-2 分。 2. 材料成本:不高,用的材料很多,包含掩膜用的感光胶、药水、显影剂、去膜和去底铜的 化学品,加起来也就 3 分钱左右,甚至更低。 3. 运行费用:3-5 分钱(看规模大小,规模大的低一点),包含水费、电费、人工、环保费 用等。铜电镀设备耗电量比较高,另外图形化的这一段必须要在控制比较好的净房,黄光区, 洁净度要到 3000 等级,所以运行费用比较高。 以上加在一起大概 8-10 分左右,最多不会超过 1 毛钱。这是我们 300 MW 量产线的测算。 如果放大到 600 MW 甚至 GW 级,这部分可能就更低了,因为运行费用、药水费用的部分 会再下降一些。我们认为铜电镀控制在 1 毛以内是完全有可能且必要的,否则和银浆的差 距拉不出来,推广会很慢。 Q:确认一下,我们现在 300 MW 已经做到 1 毛的成本了? A:我们是用过往中试的结果暂推的,300 MW 产线在明年农历年后会装机,到时候会把这 个成本结构做一个验证。乐观估计如果投入 300MW 或 600MW 的量产线,可能会比这个数 字再低一点。 Q:和同行聊下来,他们给材料这块的理论成本都是看到 5-6 分,公司这边 3 分,只有一半 水平? A:材料成本 5-6 分那铜电镀就不用做了,这样整体的成本加起来都在 1 毛多了。 Q:测试的设备用的是谁家的? A:去年有公告,采购了捷得宝的设备。 Q:刚才提到钙钛矿电池已经做到 28%,这个是 HJT 叠层吗? A:对,是把钙钛矿叠在 HJT 上,HJT 当时我们做的基础是 24.5%,叠上钙钛矿到 28%,纯钙 钛矿可以做到 21.5-22%。 Q:实际测试下来铜电镀带来的提效大概多少? A:批量测试平均提效都超过 0.3%,比较好的组别会到 0.5%左右。 Q:铜电镀适合 Topcon 吗?有在做这方面的工作吗? A:我们自己也规划了 Topcon 产能,前期也把 Topcon 铜电镀验证做完了。Topcon 和 HJT 做铜电镀最大的差别在于最表面的这一层,HJT 最表面的一层是 ITO,俗称导电玻璃,除了 导电外,还可以作为铜的一个阻挡层,这很重要,因为铜本身有很高的迁移性,如果没有任 何阻挡,在硅表面很容易向硅内部渗透,铜原子一旦到硅片里面,就会变成复合中心,成为 杂志,会掉效率,而 HJT 的 ITO 就是一个很好的阻挡层。但 Topcon 表面是氮化硅,是绝缘 的,没办法作为阻挡层。所以在 Topcon 上做铜电镀的工序步骤:首先要用激光把表面氮化 硅层打开一个槽,本来是绝缘的,要打开一个槽做导电;导电后再镀一层镍作为种子层和阻 挡层;在镍上再镀铜,最后再镀锡,会比较麻烦。但 Topcon 做铜电镀也有个好处:氮化硅 本身不导电,所以不需要很复杂的掩膜,不需要佷麻烦的图形化,只要用激光做开槽。我们 两种产能都准备上,评估下来目前 Topcon 在这个阶段还没有必要做铜电镀,Topcon 最大 的优势是设备便便宜,只比 Perc 贵了 2-3 千万,这个阶段上铜电镀设备成本的优势就没了, 除非到因为电池大幅扩产、银点大幅上升,造成银浆成本太高,那个时候才有必要考虑 Topcon 做铜电镀。但 HJT 不一样,只要解决图形化的问题,比较适合一开始就导入铜电镀。 当然另一个不在 Topcon 上做铜电镀的原因是海源过往没有包袱,没有 perc、topcon 存量 产能,可以一上 HJT 就直接做铜电镀。 Q:有评估过 Topcon 上铜电镀的单瓦成本吗? A:可能还会比 HJT 低,因为它不需要掩膜,又省了一分钱左右的感光油墨费用,只需要激 光做开槽,会多一点设备成本,但少一些材料成本。Topcon 做铜电镀不会比较贵,但会比 较麻烦。 Q:怎么解决废水处理问题,主要和哪家公司合作? A:环保问题不难解决,电镀铜的环保问题在 PCB 领域其实已经解决得很完美了。电镀铜的 设备目前主流有两种,一种是垂直镀(挂镀),另外一种水平镀。垂直镀一般都运用在印刷 电路板行业,用的药水量和槽体比较大,所以排放比较多。我们用的水平镀药水用量本身就 小,加上做了中水回收,水量进一步得到控制。真正往外排的铜离子的部分,现在也有很好 的系统做收集,包括掩膜材料形成的有机废水也可以做收集处理,目前经过处理之后的废水 达到国家一级排放标准(铜离子含量 0.5 ppm)完全没有问题,而且不会在原有的废水上增 加太多的成本,量也不大。所以如果是以水平电镀的方式来做,环保碰到的问题不大。真正 的问题在立项而不在环保,举例来说,在苏州、无锡、常州这样的地方,就算我们达到环保 标准,也不一定能够立项。 Q:废水回收的设备主要跟哪几家有合作?设备本身有门槛吗? A:没有门槛的,就是跟我们原来的废水系统公司合作,因为大部分的废水系统公司都有做 过铜的经验,不需要特定哪一家,没有太高的门槛。 Q:可以理解为我们短期不会做 Topcon 方向电镀铜? A:短期不会。 Q:如果之后 Topcon 顺利用了电镀铜并且量产,它的成本跟用银浆相比哪个更低一点? A:现在 Topcon 做银浆的成本大概也就 1.2-1.4 毛(双面:一面 75%的银,一面 90%的银)。 所以改做铜电镀大概也就省了三四分钱。目前判断是没有这个必要大动干戈,因为 Topcon 整体设备投入,每 GW 差不多 1.5-1.8 亿,如果再加上铜电镀,可能会高达 3 亿,目前来说 没有必要。但是在有一种情况下非常有必要,就是爱旭现在做的 ABC 和 sumpower 的 IBC 这种,因为它把背面全部做电镀,效果会很好。所以 sunpower 的 IBC 一开始就是铜电镀, 爱旭的 ABC 也采用了铜电镀,目的都是为了让电性能更好。而且如果在 Topcon 上做单面 电镀,难度、成本就很低。像我们现在做的 hjt 是双面电镀,虽然已经降本了,但成本还是 会比单面电镀高一点。所以 Topcon 的 BC 结构做铜电镀是一个很好的选择。 Q:那像隆基他们做这种 BC 结构的,大概率都会走铜电镀的路线? A:隆基的 HPBC 是一个很特殊的结构,它的背面同时存在了两种电池结构,一个是 Topcon 结构,一个是 Perc 结构。Topcon 结构的部分它用的是 Topcon 的银浆,但是 Perc 的结构 它用的是铝浆,这个铝浆的成本又比银浆低更多了,所以隆基的 HPBC 短期完全没有必要 做铜电镀,金属化成本已经非常低了。一半的栅线是铝浆,铝浆一公斤就 100 块左右,相 比高温银浆一公斤 5000-6000 块差距就很大了。除非有一天他要做效率的推升,或者做更 高的技术研发,所以我觉得隆基做法会不太一样。 Q:HJT 做铜电镀规模化量产后,跟现在的 Topcon 的成本对比有做过测算吗? A:HJT 做铜电镀仍然会高于现在的 Topcon 成本大概 1 毛钱左右,因为 HJT 非硅成本里还 有一块是 ITO 的部分,很贵。Topcon 非硅成本里,除了设备折旧外,材料费用基本上接近 于 0,因为它的酸、气体用量摊到每一片上都非常小,真正占比最大的就是银浆。Topcon 的 结构和 perc 比较像,但 hjt 的结构没办法,非硅成本里除了银浆外,还有很大一块是 ITO。 所以我们现在测算下来,就算加了铜电镀,HJT 的非硅成本都还会在 2-2.5 毛,没有办法做 到像 Topcon 或 perc 的 1 毛多。HJT 还需要另外一个降本工具,就是薄片化。HJT 只有同 时实现薄片化+金属化降本+在ITO部分减少铟的用量,成本才有可能低于 Topcon或perc。 Q:那感觉也没有什么应用的空间了? A:从另一个角度看,Topcon 虽然现在都宣称做到 24.8%或 25%,但实际上组件的效率可能 只有 24.1%-24.2%。HJT 华晟、金刚、通威,其实也都做到 25%以上,但他们电池到组件端效 率可以维持在 24.8%左右。也就是对于组件来说,Topcon 电池的 CTM 损失会远大于 HJT。 像工信部在 11 月出了一个文,明年开始倾向性的支持组件效率 24%以上的高效组件,反推 电池效率就要超过 26%。能做到这样的电池效率,只有两种技术:HJT 和 Topcon 的 BC 结 构,像 TBC、ABC 这种,隆基的 HPBC 可能短期还到不了 26。所以我觉得要看 HJT 是不是 有存在的意义,一要看它降本的速度快不快,二要看未来对于效率的需求会不会进一步提升。 再回到降本的部分,HJT 刚提到有三个降本方向,看 2023 年能不能同时实现。其中两个铜 电镀和少铟的 ITO 已经陆续在实现了。像隆基也公布了他们可以用 ADO 来取代部分 ITO, 形成少铟的 HJT。最主要还是回到硅片的降本,前面华晟、迈为公布的 HJT 降本路线为什么 一直到现在还没有办法兑现,最主要原因还是硅片。今年 10 月以前硅片仍然是卖方市场, 不愁卖,对硅片厂来说,光卖 P 型就赚翻了,没有必要回头去做 N 型硅片的减薄。包括我 们在内的 HJT 厂需要的是 210 半片,如果让硅片厂做半片的切片,他们在切片端的成本会 增加一些,原来我一刀可以切一片的,现在一刀只能切半片。所以今年 10 月以前,不太会 有硅片厂主动做硅片的降本,对他们来说没好处,首先要把产能转成 N 型,其次要减薄,而 且要做半片。但在 10 月以后,硅片进入了下行通道,这就不一定了。目前我们已经看到包 含像中环、宇泽这样的 N 型硅片大厂开始陆续投入薄型化的 N 型硅片的产出,而且我们也 都拿到样品了,目前已经看到厚度 100 的 N 型硅片。所以我觉得在明年 hjt 降本路线兑现是 比较有可能实现的。 Q:但 Topcon 也可以薄片化? A:Topcon 薄片化会有一个限制。晶科前段时间试图要把薄片化做到 125 以下,但是现在 又退回到 123,主要原因还是 Topcon 是个高温工艺,它的温度会让片子的厚度到某个程度 就下不去了,在炉管里会发生形变,这是一个很严重的问题,目前是没有办法改善的。相当 于在电池的工艺里,因为温度太高,片子产生弯曲之后,两片硅片会碰在一起,产生不良和 短路,这个就很麻烦。所以目前 Topcon 电池的硅片减薄会有一个下限。 Q:HJT 的下限预计是多少? A:日本松下公司曾经做过最薄的在 80 左右,但是要切到 80 的厚度,硅片厂可能要换一 些切割线,比如从金刚线换成钨丝线等。目前以现有的切片机来说,上机、连城、高测,用 40 或 35 线宽的金刚线做到 100 的厚度完全没有问题。 Q:刚才提到 Topcon 做电镀铜直接用激光开槽就行了,这块的激光设备现在技术成熟吗? A:很成熟,不管是开在 Topcon 或 perc 上,都是开在氮化硅这一层膜上,厚度大概在 80- 100 纳米,这个厚度 SE 这样的激光就做得到了,这个不是问题,没有因为是 topcon 难度就 更高,本质还是打开氮化硅这层膜,SE 已经很成熟了。 Q:水平电镀未来会有什么优缺点? A:水平电镀最大的好处就是自动化好做,挂镀很难做,因为要把电池片固定在夹点上面, 而且它只在电池的一端导通,均匀性也比较差。水平镀片子是躺着进去的,而且它的电极是 密布在滚轮上,接触电池的接触面比较一致,电镀均匀性会很好。当然,水平电镀会碰到气 泡的问题,反应过程当中会产生氢气,特别是在镀背面的时候,会附着在硅片的表面上,让 电镀没有办法顺利进行。这部分在印刷电路板行业其实也早就解决掉了,把硫酸改成磷酸, 改用不同的药剂,就可以解决掉起泡的问题。 Q:电镀机的节拍? A:我们现在的设备产能是 300 兆瓦,对应 7500 片/小时产能。 Q:现在良率大概有多少? A:电镀铜的良率不是单靠电镀决定,良率要从头累积到最后。目前我们觉得有把握达成的 目标在 95 以上。 Q:现在实验线跑下来的良率? A:它不是连续跑的,所以看不出良率的差别。 Q:之前了解到水平电镀存在滚轮问题,还有传送带可能被电镀,设备开一段时间之后还要 进行去电镀的过程,导致整个设备稼动率上不来,这块咱们解决得怎么样? A:其实这个问题水平镀、挂镀都会有,所以电镀这个行业在产能利用率上本来就要预估一 个时间做消镀,或者叫退镀,这个是很正常的。只是挂镀的设备可以利用它的夹点在回送的 过程当中做退镀,水平电镀就要另外再做一个时间做退镀。水平电镀的产能是由三个东西决 定的:水道宽度、机台长度、工艺时间。所以水平镀的好处是我可以把设备的产能再加大, 大到它可以覆盖退镀所需要的时间,只要把水道加宽,或者把设备加长,就会有足够的时间 做退镀。所以这个不会是太大的问题。 Q:硅片的厚度? A:我们爬坡结束到量产阶段,预计就要从 120 跨到 100,大家可以回推单瓦的硅片成本。 如果硅片跨到 100,根据我们测算,加上铜电镀,加上减铟或无铟化的 ITO,HJT 的成本应 该就可以做到跟 perc 一样,甚至更低一点,含折旧。 Q:银包铜跟铜电度的差别? A:都可以降本,而且银包铜降本更快,因为他不用买复杂的设备。但是他最大的问题就是 会掉效率。银包铜目前做得最好的效率都会比常规的低温银浆掉 0.2 以上。我们费了大量的 成本投入做出来的微晶硅也才提效 0.5,这边掉 0.2 对电池的影响还是很大的,这也就是为 什么银包铜喊了两年,但是没有大量推广。掉效率反映在性能上,会造成体电阻的增加,铜 的体电阻是 1.8 *10 -6 欧姆,银铜浆至少都是 6 *10 -6 ,或 8 * 10 -6 ,它会让体电阻恶化得比 较快。 Q:印材设备? A:我们现在每 600 MW 需要两台,一台负责做 IP,一台负责做 IN,但是每一台产能都可 以做到 600 MW,负责不同的工艺。我们是用二手设备改造,所以前期设备成本不高,但是 后期在没有取得这么多二手设备来源的情况下,我们现在在做的方法是跟国内的厂家合作, 在做印材设备国产化的工作。 Q:考虑二手 PECVD 设备,HJT 这块整体单瓦设备成本大概多少? A:用了印材设备,加上铜电镀之后,每 GW 大概在 5.5-6 亿。 Q:相当于不算铜电镀,还有 4 亿左右的 PECVD 的成本? A:不是,4 个亿是从制绒到 PECVD 到 PVD。 Q:刚才说我们的 HJT 成本是大概高一毛左右,也是包括了这块设备的是吧? A:对,用十年折旧去摊就有 5-6 分钱了。 Q:我们在设备这块可能也跟行业不太一样,您怎么看后面设备国产化的成本大概要到什么 水平,我们整体成本能和 Perc 打平,还是即使是用这个成本,我们只要硅片做到 100 微米 就可以和 perc 打平? A:硅片做到 100 微米基本上含折旧就可以跟 Perc 打平。但是我们也希望 HJT 的设备包含 铜电镀在内,在国产化激烈竞争之后,可以至少再下降 50%,也就是从现在 6 个亿至少要 下降到 4 个亿以内。 Q:刚才说咱们团簇的 PECVD 是二手改造的,改造商是国产厂商吗? A:是的。 Q:刚才提到现在节拍是 7500 片/小时,这是理论测算值吗,因为我们还没有跑电镀铜的线? A:对,是用它的节拍算出来。 Q:关于水平退镀的问题,理论上是通过产线规模的扩大来改善它的自动化的问题,具体去 退镀的时候,因为是滚轮可能会被电镀到,那是要通过人工清洗的方式还是什么样的方式? A:其实退镀就是通反向电流,通某一向的电流铜会镀上去,那通反向的电流铜就解离出来 了,这个很简单。挂镀机的消镀也是这样,把夹具往另一个方向走,通反向的电流,不是很 复杂。 Q:那就是新的电池片在退镀的那块绕过去,走到下一个滚轮上面,可以这样理解吗? A:没有,我们做完一段时间之后就让设备空跑,通反向的电流退镀就好。 Q:如果是您说的规模扩大之后来提升它的自动化,这个均衡点大概是多少,比如做到多大 规模的产能时,自动化能平衡掉?或者说水平镀会涉及设备关停,但还是要保证 7500 的节 拍,那我们要把规模扩大到多少的时候能够达到 7500? A:其实我们的设备净产能是超过 8500 的,甚至做的快一点接近 9000,所以产能是足够的, 这个没有问题。 Q:我们材料确实比其他家便宜很多,这块是因为国产化吗?您能具体介绍一下材料降本的 细节吗? A:我们材料是全面实现国产化的,包含油墨在内,我们用的油墨每公斤低于 100 块人民币。 Q:材料都是由设备厂商捷得宝提供的,还是海源自己去找的供应商? A:都有。 Q:曝光机这块的成本? A:按整个铜电镀 1.5-2 亿,前面图形化和后面铜电镀大概是各 50%的比例。至于中间的细 节就不能再拆了,这个是机密。 Q:团簇 PECVD 目前测试的情况,是否有感受到相比链式 PECVD 明显的优势? A:团簇 PECVD 和链式差距很大,传送方式、排列方式都不一样。工艺方面,团簇 PECVD 镀出来的微晶硅膜的厚度大概在 10-15 纳米,链式 PECVD 镀出来大概是 25-30 纳米,光 是厚度跟均匀性的要求就差很多。 Q:电镀铜目前线宽能做到多少? A:20 以内。 Q:线宽目标?比如 23-24 年做到多少? A:不能一味追求太细,我们可以做到 10 以内,但没有必要,15-20 是最好的。 Q:所以现在 20 以内的线宽就已经能看到 0.2 以上的效率提升? A:对,可能还超过。 Q:在铜电镀提升效率上,明后年有没有什么目标? A:其实铜会有另一个效率提升的来源:图形的改变,因为铜的导电性能跟银完全不一样, 所以铜可以做铜电池对铜电池的互联,这一段可以进一步减少它的内电阻,让组件的功率再 往上增加 5-10 瓦。 Q:我们的铜互联和铜电镀新工艺在下游的可靠性认证,您觉得大概需要多久? A:我们已经在做了,大概在 6 个月左右可靠性认证应该就结束了。

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  • 只看TA
    2022-12-18 15:25
    电话调研?
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  • 只看TA
    2022-12-17 20:14
    关注了~
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