市场调整大跌个股数量增加，创业板个股分化，盘中创业板成交额一度接近主板，主板高位抱团品种海天味业、通策医疗、密尔克卫、中炬高新等午后放量大跌，板块方面白酒持续强势，片仔癀的超预期涨幅带动低位中药个股大涨，盘中第三代半导体受消息刺激异动，科创板及芯片类个股不断下跌后日内反弹，市场依旧围绕创业板以及一些个股的自身逻辑进行炒作。

第三代半导体

午后盘中彭博社消息，中国计划在“十四五”期间大力支持发展第三代半导体产业，盘中以乾照光电为代表的个股异动明显，这里简单介绍一下第三代半导体：

宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（而硅的禁带宽度为1.12eV），其中较为典型的和成熟的包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，其余包括氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等的研究尚处于起步阶段。第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路；其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。

以氮化镓（GaN）为例，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域；在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。5G基站射频器件对高频材料的需求，以及功率器件正向着大功率化、高频化、集成化方向发展的趋势凸显出了第三代半导体材料的重要性及广阔前景。而该领域基本由美日企业主导，我国相对薄弱，研发仍主要集中于军工领域。

根据Yole测算，GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年约20亿美元，年均复合增速达21%；主要受益于电信基础设施5G宏基站建设、国防、快充、汽车电子、消费电子等应用推动。据拓璞产业研究院援引工信部数据，截至2017年12月底中国4G宏基站数量为328万座。中国5G宏基站数量有望达到500万座，为4G基站数量的1.5倍。宏基站建设将会拉动基站端GaN射频器件的需求量，考虑到5G基站的建设周期，拓璞产业研究院预计到2023年基站端GaN射频器件规模达到顶峰，达到112.6亿元。

小米公司宣布使用GaN快充，GaN功率器件有望在笔记本电脑、手机快充加速普及。华为、苹果、三星、OPPO、康佳等在GaN技术上有较多积累。

A股相关公司：

乾照光电：2020年2月21日公司在互动平台称：公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

华灿光电：2020年7月29日互动平台回复：公司蓝绿光外延材料就是GaN基材料，公司在GaN基材料制作、分析方面具有多年经验，目前制作材料的性能处于领先地位。

露笑科技：公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，致力打造碳化硅“设备--衬底--外延”的完整产业链。

耐威科技：4月11日公告，拟投资设立全资子公司聚能海芯，以此作为项目公司，组织资源投资建设自主氮化镓微波及功率器件生产线。

三安光电：公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额为160亿元。

海特高新：子公司海威华芯在中国率先提供六英吋砷化镓（GaAs）集成电路的纯晶圆代工服务；在第三代半导体（氮化镓GaN）领域拥有国际领先、国内一流的技术；在全球氮化镓芯片专利技术属于一流梯队，公司专利总共249项，其中过半数是发明专利。