先进封装大势所趋，继续看好供应链！
夜长梦山
2023-04-20 15:19:44
先进封装大势所趋，继续看好供应链！🔥🔥🔥【国盛郑震湘团队】华为《计算2030》先进封装要点
1）2.5D Chiplet芯片封装集成技术持续
2.5D Silicon/FO Interposer+Chiplet可提升Die良率、降低成本，堆叠集成实现更大规模芯片性能，且规格应用灵活。
华为预计25年2.5D/FO interposer 尺寸将超过4xReticle，封装substrate预计超过110mm*110mm。更大尺寸基板面临良率、交期、可靠性等问题，需要融合创新基板架构。
2）3D芯片综合性能预计提升数十倍
3D芯片技术未来会从D2W->W2W，uBump->Hybrid Bonding->Monolithic 3D技术逐渐演进，应用场景将覆盖3D Memory on Logic、 Logic on Logic及Optical on logic等，且逐步走向更多层异质堆叠。
3D堆叠工艺需要采用<10μm pitch超高密Bonding技术，更小尺寸TSV技术需要从材料、工艺基础持续探索。
3)芯片出光
华为预计高算力芯片2030年端口速率将达T级以上。芯片出光相比传统方案端到端能效 有望降低至1/3。光电转换芯片和主芯片共封，替代可拔插光模块和板载光模块，芯片出光成为未来突破带宽瓶颈关键技术。
芯片出光面临PIC光子集成电路与EIC电子集成电路3D封装，超大封装基板及OE光引擎集成，单芯片功耗密度提升等挑战。
4）大功耗芯片供电
高压单级变换、开关电容混合变换等新型供电架构配合低压GaN功率器件和高频集成磁等工程技术的应用，进一步提升单板供电端到端能效和功率密度。
芯片48V高压直供是解决芯片供电瓶颈的关键技术路径。基板、封装承受高压材料升级是芯片高压直供前提。
5）芯片层面散热
开发高导热TIM1 材料降低路径热阻，Lidless(无顶盖封装)芯片散热、封装与芯片级先进液冷技术，有望为未来芯片提供千瓦级与万瓦级散热能力，为芯片性能的跨越式提升提供散热基础。
作者利益披露：转载，不作为证券推荐或投资建议，旨在提供更多信息，作者不保证其内容准确性。
声明：文章观点来自网友，仅为作者个人研究意见，不代表韭研公社观点及立场，站内所有文章均不构成投资建议，请投资者注意风险，独立审慎决策。
S
士兰微
工分
23.75
转发
收藏
投诉
复制链接
分享到微信
有用 31
打赏作者
无用
真知无价，用钱说话
0个人打赏
同时转发
评论（24）
只看楼主
热度排序
最新发布
最新互动
- 1
- 2