【事件回顾】

【日期】2023年5月15日

【驱动】纳米压印技术迎来重要进展、或将在存储领域率先实现对EUV光刻的替代

【事件】近日，有消息披露，SK海力士从佳能引进纳米压印设备，计划在2025年左右使用该设备开始量产3D NAND闪存，目前测试结果良好。另一存储巨头三星为了解决引进多图案工艺导致的成本上升问题，除导入EUV光刻机之外还开发了包括纳米压印技术在内的3-4种解决方案。此外，铠侠、东芝等日存储大厂在纳米压印技术领域已有相关布局。
     
纳米压印技术（NIL），是一种新型的微纳加工技术。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上，可实现纳米级线宽的图形。相较于目前业界依赖的光学光刻存在的诸多局限性，纳米压印技术可大幅降低制造成本，且掩膜版图案设计更简单，可批量生产三维产品。业内表示，“与EUV相比，纳米压印技术形成图案的自由度较低，因此预计将优先用于生产维持一定图案的NAND型闪存。”SK海力士开始采购设备也是因为这个原因。”如果纳米压印设备实现商用化，以SK海力士为首的NAND闪存企业将能够提高从200层开始的工序难度越来越高的3D NAND闪存领域的生产效率。
      在芯片领域，纳米压印尚处于产业化初期阶段，在良品控制、模板寿命等方面存在短板。目前，EUV光刻机等系统复杂度、技术瓶颈和成本问题等日益突出，纳米压印技术迎来曙光，商业化进程明显加速，佳能等半导体设备制造商、材料商以及工艺商纷纷开始涉足这一领域。随着相关领域技术的发展，纳米压印望在部分领域实现对光刻环节的替代。