精测电子：精测半导体新签1.43亿元人民币的订单

各位领导好！精测电子旗下上海精测半导体（主要生产ocd，膜厚，电子束）新签1.43亿合同。与10.9公布的订单不同，本次交易客户未披露历史订单金额，可推断为新客户。

我们认为，曝光设备数量制约FINFET芯片扩产规模，量检测设备改善良率，决定芯片最终供应能力，重要性提升！

高端制程工艺复杂，量检测设备重要性提升：

N+2制程每万片月产能，设备采购成本约160亿元，单片晶圆外售价格超1万美元。N+2制程多数采用SAQP（自对准四重图形）原理，对薄膜沉积、刻蚀等工艺的一致性与工艺后形貌有极高的要求。N+2产线量检测设备需求量大，传统估计约占全部设备开支的约10%+，产线爬坡期量测设备占比更高。精测电子部分产品（膜厚、三维形貌）在先进/成熟制程部分通用，有望支持国内FINFET产线良率提升和保持工作。

电子束测量精度高产线用量大，精测产品进展顺利

电子束设备（DR-SEM,CD-SEM,EBI,FIB）是另一大细分类设备，其理论测量精度上限极高，3D结构成像能力强，在FINFET，3D NAND 等产线中渗透率呈提升趋势。精测电子的DR-SEM电子束设备已取得多家客户批量性订单，CD-SEM（电子束中用量最大）正紧密研发中，未来有望获得较多市场份额。

OCD光学关键尺寸测量设备产能大，有力补充半导体量产需求

OCD光学关键尺寸设备为中高难度进阶产品，可用于测量N+2节点，FINFET芯片的鳍式管栅极尺寸等结构，产能远高于电子束，多在大批量产线中使用。精测电子OCD设备已取得国内多家一线客户的批量订单，未来有望在先进产线中发挥更大作用。

膜厚测量设备3DNAND 中用量大

3dnand由多层ono stacks结构组成，需要pecvd多次沉积与抛光膜层结构，对膜厚测量设备需求量大。精测电子总部临近国内3dnand基地，未来膜厚设备有望支撑nand扩产。