干法蚀刻是目前用于将光刻胶图案转移到IC器件中的底层半导体基板中的主要蚀刻方法。图案转移是通过去除不受光刻胶保护的衬底材料来完成的。干法蚀刻技术根据其蚀刻作用的机制分为三大类：物理蚀刻（也称为溅射）、化学蚀刻以及物理和化学组合蚀刻。

        物理蚀刻或物理溅射是由于高能粒子轰击靶材而使原子从固体靶材中喷出的过程。物理溅射的基础是由入射轰击离子与靶材中原子之间的碰撞产生的动量交换。当目标被轰击时，入射离子在目标材料中引发碰撞级联。当这样的级联反冲并以高于结合能的能量到达目标表面时，可以弹出一个原子。用于溅射工艺的初级粒子可以通过多种方法提供，包括例如等离子体源、离子源、加速器等。在需要高度蚀刻各向异性的情况下选择溅射蚀刻并且选择性不是问题，因为它会产生高蚀刻速率。这种技术的一个主要缺点是晶片损坏。另一个问题是溅射去除的物质不会挥发，可能会重新沉积在晶片上，导致颗粒和化学污染。

        在干化学蚀刻技术中，等离子体产生的活性物质（例如自由基、离子和原子）与晶片表面上不受光刻胶保护的衬底材料发生化学反应。选择性引入蚀刻室的前体气体以获得高选择性（换句话说，使光刻胶和下面的晶片层之间的化学反应最小化）。反应的挥发性副产物通过低压泵送系统去除。干法化学蚀刻是非常各向同性的，因此会产生较差的CD控制。可以执行组合的物理和化学机制，其中离子轰击改善了化学蚀刻作用。通过调整等离子体条件和气体条件，蚀刻轮廓从各向同性变为各向异性。

        结合物理和化学蚀刻产生良好的CD控制和合理的选择性，并且通常是大多数干法蚀刻工艺的首选。干化学蚀刻技术根据其蚀刻剂的性质进行分类，即等离子体和反应离子蚀刻。