高新发展，国产算力持续超预期，同样的存力国产替代同样有预期差。

英伟达H100，一货难求持续中，除了经营策略和摩擦限制以外，限制产能的是工艺方面，代工是台积电，存储芯片是SK海力士，两者均是独家。

H200在芯片架构上并未调整而显存却翻倍，说明大模型训练缺的不是算力是存力

近期封装板块走强，源于台积电先进封装客户大幅追单（2024年月产能拟拉升120%）。那顺着逻辑，存储芯片HBM也有走强的可能。

HBM3E是一种基于3D堆叠工艺的DRAM存储芯片，AI服务器必须配套HBM3E使用，算力要求更高，对高宽度内存的要求就越高，HBM有条件成为本轮存储芯片主升行情的核心。

[深科技]，HBM(高带宽存储芯片，配套算力底座GPU)将数个DRAM裸片堆叠起来与数据中心GPGPU配合工作。公司具备8层和16层DRAM堆叠工艺，有望切入HBM封装。子公司沛顿科技国内封测龙头企业，国内唯一具有从集成电路高端DRAM/Flash晶元封装测试，到模组成品生产完整产业链的企业。深度绑定长鑫存储，受益于AI服务器及汽车智能化快速发展，HBM、DDR5等新技术不断迭代，且国产替代空间广阔。