法案核心内容如下: 1)计划5年内拨款约520亿美金,22-26年分别拨款240/70/63/61/68亿美金。 2)执行新的为期四年的25%的税收减免——减免估计值在240亿美元,鼓励企业在美建厂。 3)如果企业在中国大陆投资半导体制造,企业将无法获得这一补贴;如果企业一旦获得美国补助,在美国 建立工厂,10年内就不能扩大对中国先进制程芯片的投资——成熟制程则无限制。
下周,美参议院将对这一法案进行最终投票,之后提交众议院。 具备在美建厂能力的企业主要为IDM与晶圆代工厂,主要有: IDM:英特尔、三星; 代工厂:台积电等; 模拟/功率:德州仪器、英飞凌、ST意法、东芝、恩智浦等; 存储:美光、海力士等。 我们认为,此次法案仍属于“半导体逆全球化”趋势的继续演绎,将进一步加速半导体的国产化进程。地 缘政治已成为国产半导体发展中不可避免的因素,持续关注中国半导体上游材料/设备领域的国产替代进 度。
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【半导体材料】 兴森科技/沪硅产业/立昂微/江丰电子/有研新材/彤程新材/晶瑞电材/安集科技/鼎龙股份/华特气体 风险提示:设备国产化进度不及预期、下游国产晶圆厂资本开支不及预期。