2、8月16日，长城控股集团签约锡山经开区，打造钙钛矿产业基地及第三代半导体模组封测制造基地，计 划投资38亿。

 3、8月12日，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，逐步向海外龙头看齐。 SiC碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业化突破的核心 碳化硅基MOSFET与硅基比，能源转换效率更高。下游应用新能源车、充电桩、光伏、风电、轨道交通等领 域。

主要优势为：（1）解决续航痛点；（2）单车节省400-800美元电池成本。当前特斯拉等车企已相继布 局。 SiC衬底：新能源车+光伏需求潜力巨大；国内外差距逐步缩小、国产替代可期 

1、市场空间：碳化硅衬底占SiC器件总成本的46%，预计2025年SiC衬底在新能源车+光伏逆变器市场需求 达261亿元，2021-2025年CAGR=79%。行业核心瓶颈在于供给端不足。 

2、竞争格局：海外龙头已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。 但国内外差距正在缩小。 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒 市场第三方设备厂商较少，企业更多为设备+制造一体化布局为主，便于将核心工艺机密掌握自己手里。设 备+工艺联合研发、形成互哺是关键。 

投资建议： 重点推荐：晶盛机电。 重点关注上市公司：天岳先进、露笑科技、三安光电、东尼电子、天通股份、凤凰光学、华润微、天富能 源等。 关注非上市公司：天科合达、河北同光、山东烁科、瀚天天成、天域半导体、中科节能、泰科天润等。 

风险提示：研发进度不及预期风险；国际贸易争端加剧风险。