【国盛电子团队】三安光电集成业务重大突破，1200V SiC MOSFET新品发布！

9月2日，湖南三安发布1200V SiC MOSFET新品，预计22Q3-Q4量产一代产品。新产品具备低比导通电阻（Ronsp）、高击穿电压、低阈值电压稳定性，良率达到80%。
【Ronsp】公司已进行Ronsp迭代预研，量产产品做到4mΩ.cm2，预研的一代半产品参数在3.08-3.1，并已具备2.52mΩ.cm2的技术水平；
【击穿电压】1580V，达到业内Top水平；
【阈值电压稳定性】500小时评估阈值电压漂移约0.1V，高品质栅氧，行业领先。

三安第一代SiC mos包含三款新品，G1_1200V 80mΩ MOSFET、G1_1200V 20mΩ MOSFET、G1_1200V 16mΩ MOSFET，均采用平面栅工艺，减薄工艺，芯片厚度150μm，基于6寸全产业链自主平台，其中20mΩ、16mΩ新品两种金属体系可选，16mΩ面向车规级应用。

从二极管到mos重大突破，SiC业务迎来放量增长。此前公司SiC产品主要集中于二极管，2021年公司碳化硅二极管新开拓送样客户超过500家，出货客户超过200家，超过60种产品已进入量产阶段。在服务器电源、通信电源、光伏逆变器、充电桩、车载充电机等细分应用市场标杆客户实现稳定供货。此次SiC mos发布，公司进一步突破车用中SiC中价值量更高、盈利水平更高的OBC和主驱等的应用，不断提升车规产品份额，SiC业务有望迎来放量增长。

SiC mos产品落地，全面发力车规应用。公司SiC mos预计22Q4率先应用于OBC，23Q4-24有望逐步进入主驱。产能端预计年底达到1.2万片月产能，24年达到4万片。关键设备实现国产化，mos产能切换弹性大。客户端，材料已供应海外领先厂商，与理想成立合资公司深入绑定，未来将看到公司与更多整车厂、Tier 1的合作。

风险提示：下游需求不及预期