天富能源是天科合达的控股股东，天科合达是国内领先的垄断囯内市场的导电碳化硅晶片生产商，目前公司在国内市占率超90％是绝对龙头，22年12月底天科合达估值200亿完成增资5.5％融资10亿左右，将于23年4月份申报上市，预计23年年底发行估值500亿左右，上市募投达产后导电碳化硅衬底及外延片产能世界排名第一，超过Cree公司，上市后估值超千亿市值。

天科合达股权结构为天富集团持12.3％，天富能源持9.6％，中科物研所6％，宁徳时代5％，国家基金4％，华为哈勃3.7％。天科合达22年产12万片收入6亿左右，23年己签订单26万片，收入12-13亿，24年订单收入25-26亿，25年订单收入40多亿，25年开始公司产品会从碳化硅衬底全面转型成碳化硅外延片。

600509天富能源在22年7月份发改委调整电价后，每年可以增加12亿多收入，另外23年开始每年增加1亿多居民用电补贴，预计自身业务净利为23年7亿、24年9亿。按24年10倍市盈率保守估值90亿，保底合理估值对应7.8元，向上40%的估值修复空间。

山东天岳于21年6月申报上市公布时，持股2%的002346柘中股份从6月2日开始直接7连板股价翻倍。

300236上海新阳在沪硅产业上市前，三个月内从20多元涨到70多元，最高80多元股价翻了4倍。

千亿估值的天科合达上市之际，作为控股股东的600509天富能源是否也会有7连板翻倍或者3个月涨4倍的壮举呢？大家拭目以待吧！

天科合达研究报告（主要数据来源于机构调研）

一、人员、技术及设备情况

天科合达的名字就是由天富能源和中科院物理所合作发达的喻意，2006年公司是中科院物理所技术入股和天富能源共同创立，中科院物理所从1999年开始研究碳化硅，公司早期的技术主要依靠中科院，后期就是以公司培养的技术人员为主，技术团队成员大多数也是2010~2012年之间物理所陈老师的课题组全职加入进来的，目前公司研发一共100多人，关于成果归属的这个问题，公司与陈老师之间是有协议的，碳化硅单晶衬底的成果，不管是做到什么程度，知识产权都是归属于公司的。

生长炉的研发团队主要在沈阳，大约30来人，核心技术人员10来个，设计和制造都已经是全部自主完成。切磨抛设备现在来看的话，切割设备也已经国产化，早期的一些进口现在已经国产化，然后磨抛设备基本上都已经是国产化了，磨抛设备可能现在唯一的就是这个检测设备，公司今年也找了一个国内公司，正在测试样机。 外延的生长设备，进口的和国产都有。 现在在徐州研发基地是两台进口的，两台国产。未来规划了100台，绝大多数都是国产的，现在有两家国产的公司产品基本上验证的差不多了。

天科合达技术水平已达到国际先进，公司和Cree公司的良率基本上差不多，仅比Cree差一点点，未来几年计划超越Cree公司，参数上，公司和Cree的产品各有优势，目前Cree的产品参数有60~70%的指标是要好于公司的，剩下的部分公司优于Cree。实际上Cree目前已经可以做到100mm，22年公司的厚度大概可以做到20~30mm之间，23年全线可以做到30~40mm之间。

22年8寸衬底公司已经研发出来了，量产已没有问题，23年会给SBD客户做一些批量，8寸MOS技术上再优化一下就可以小批量产。8寸线的设备和6寸线大部分是兼容的，仅换个热场，估计24年可以全面量产，23年底上市估值500亿左右募集资金40至50亿用于8寸衬底及外延片量产，后面可能再控股一家SIC功率器件设计公司，募投达产后产能超过Cree公司，天科世界排名第一。

公司上市后目标全面发展 8寸MOS，厚度目标实现100mm。加工工艺上做一些突破，在厚度不变的条件下产出更多的晶片，在外延方面提高良率，降低成本，目前已经满足国内外客户质量需求，但还有提升空间，通过研发给客户提供更好的价格更低的产品，实现全面替代硅的IGBT。

二、产能产量及市场情况

2022年产能约12~15万片，营收6亿左右，23年今年已签订单26万片，预计营收12至13亿，24年签订单60万片，收入25-26亿，25年签订单80万片，收入40亿左右。

22年销售收入增长是因为大兴新厂投产，23年大兴新厂全年贡献销售收入，24年深圳公司（天科重投）全年贡献销售收入，有望24年徐州2期能贡献一部分销售收入，25年大兴2期和徐州2期全年贡献销售收入，产品供不应求，产能利用率100%。目前交付量已经超越全球第二Ⅱ-Ⅵ公司，Ⅱ-Ⅵ公司2021年6寸导电产品交付量12-13万片，单大兴新厂产能规划6寸导电产品12-15万片（徐州等其它产能7万片），大兴新厂22年11月份全线产出，投产达产速率3个月。22年的6寸4寸比是2:1，23年预计9:1左右，24年后都是6寸和8寸。23年8寸开始小批量量产。

22年外延片已给国内用户送完样了，评估期6个月，自测指标完全符合客户要求，中试基地在徐州，然后未来产业化基地在深圳（天科重投），23年6月份外延设备可以投产量产，一期40台，规划的外延炉是100台，预计25年公司产品会从碳化硅衬底全面转型成碳化硅外延片，2025年外延加衬底不含税价格在600美金左右，独占碳化硅产业75%利润，全面替代硅的IGBT成为市场趋势，在新能汽车、光伏、储能、电网设备等行业得到全面应用。

天科合达衬底22年主要应用在车载OBC和DCDC、光伏逆变器等，一个6寸衬底大概做460个器件，根据Cree报表成品率75%左右，国内做的比较好的可以超过80%。目前国内器件在向车规级的主驱逆变的导入过程，天科合达客户大部分都处于送样的过程，预计23年下半年是爆发点，直接采购客户比亚迪一直在引领碳化硅往车规级发展，其他客户都是通过器械厂商采购，主驱逆变正处于验证阶段，目前来看3-5年之内将是最大市场，按衬底的销售比例将会占碳化硅衬底的90%，目前主驱逆变方向天科合达已经和海外功率器件厂商达成合作，但是国内厂商数量大于国外。

另外公司产品参与国家电网主导成功研制6.5kv/ 400A碳化硅MOSFET模块，用于35KV全Sic电力电子变压器，在雄安建设了柔性变电站，未来也是千亿级市场。

三、公司估值

22年12月底天科合达估值200亿完成增资5.5％融资10亿左右，融资目的为尽快开启北京大兴2期和徐州2期的扩产项目。23年4月份申报上市，23年底计划发行估值500亿左右。

关于北京天科合达半导体股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导工作进展报告(第五期)