事件1：网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。
事件2：日本政府3月31日宣布，将对23种芯片制造设备的出口施加限制。
海外不确定性加剧，国产替代有望加速。美光审查已逐步发散到整个半导体板块。
燕东微是一家集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体的半导体企业，流通市值31亿，公司已发展为国内知名的集成电路及分立器件制造和系统方案提供商。公司承担了 16 项国家级及省部级科研或技改项目，其中包括 1 项国家科技重大专项，并参与了 4 项国家标准及 1 项电子行业标准的制定工作，连续六年获得“中国半导体功率器件十强企业”称号。随着 5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR 等新一轮科技逐渐走向产业化。
基于成套国产装备的特色工艺 12 英寸集成电路生产线项目，规划月产能4万片，工艺节点为65nm，2023 年 4 月试生产，2024 年 7 月产品达产，二阶段预计将于 2024 年 4 月试生产，2025 年7月项目达产。
未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。公司也将充分受益于集成电路行业发展，受益于进口替代等历史性机遇。
2023年，燕东微以清华-北京电控联合研究中心的硅基纳米激光器和光放大器为硅基光源，以1纳米以下栅长石墨烯薄膜超薄晶体管为元器件，制备RF CMEMS工艺硅光集成电路平台量产，2025年7月满产。硅光芯片采用光波来作为信息载体，频率范围 30GHz-3000GHz，信息处理速度是电子芯片的1000倍，功耗是电子芯片的百分之一，实现“弯道超车”超越摩尔，必将对全球集成电路行业构成技术壁垒
2023年CMEMS工艺硅光芯片量产后，公司将依托自主研发的RF CMEMS工艺平台+清华大学-北京电控联合研究中心的科研成果，即“亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管（目前自然界唯一 一层原子厚度0.34纳米栅长尺寸物质）”为元器件、“元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机）”技术，启动12英寸1纳米以下栅长晶体管超大规模的芯片项目立项与生产线产业链建设——对全球芯片行业具有技术壁垒性，再造一个、二个乃至更多个燕东微，彻底实现中国芯片国产替代、自主可控、反“卡脖子”。
公司还有国资背景，公司的前十大股东中大部分都是国有股份，持股比例极高，股东名称中带SS和CS的都是国有股份。
国资大比例参股，根正苗红是上市公司中少数几个大基金一、二期均参股的半导体企业，帮扶力度大，传闻中的万亿政策，半导体芯片材料设备端，补贴对象就是国产装备国产线，燕东微是最受益的公司之一。
全国产12英寸线投产在即，封锁只会越来越紧张，只有自主可控才有资格在谈判桌争取利益。 国产线先发优势，国产半导体设备与材料的前期调试成本巨大，跑通就是星辰大海。随着进口装备和材料越来越难获得，纯国产线跑通后将有巨大优势。
